存储器(sram)和德拉姆(dram)的区别
关键区别：静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）是两种RAM（随机存取存储器）。它们在许多情况下都是不同的，比如速度、容量等。这些差异是由于保存数据的技术不同而产生的。DRAM的每个存储单元使用单个晶体管和电容器，而SRAM的每个存储单元使用6个晶体管的阵列。DRAM需要刷新，而SRAM不需要刷新存储单元。两者都保留数据，直到有电为止。
半导体存储器可分为易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器的随机存储器（RAM）有两种类型：SRAM和DRAM。RAM意味着通过地址直接访问各个内存位置。SRAM代表静态随机存取存储器，DRAM代表动态随机存取存储器。
这些存储器是随机存取存储器（RAM），它们是易失性的，这意味着它们不会保留更长的时间。RAM也可以称为计算机内的工作存储器存储区。一旦断电，SRAM和DRAM都会丢失数据。但是，DRAM需要定期刷新。
两者之间的关键区别在于用于保存数据的技术。由于这一关键差异，其他差异也随之产生。SRAM使用锁存器来存储数据（晶体管电路），而DRAM使用电容器以电荷的形式存储位。SRAM使用普通的高速CMOS技术来构造，而DRAM使用特殊的DRAM工艺来实现优化的高密度。与sram相比，动态ram具有简单的内部结构。
SRAM比DRAM快。然而，DRAM更小，而且每比特的成本更低。SRAM的循环时间大于DRAM，并且DRAM的容量大于SRAM。DRAM用作主存储器，而片上高速缓存通常是SRAM。
sram的设计主要是为了满足两个主要要求：1.以DRAMs无法达到的速度提供与CPU的直接接口；2.在需要低功耗的系统中取代DRAMs。
SRAM（静态随机存取存储器）与DRAM（动态随机存取存储器）的比较：
|
| 存储器 | 德拉姆 |
| 定义 | 它是一种RAM。SRAM基本上使用锁存器来存储电荷 | 它也是一种RAM。DRAM利用电容器以电荷的形式存储位。 |
| 速度 | 更快 | 更慢的 |
| 大小 | 更大的 | 较小 |
| 成本 | 每比特更贵 | 每位成本更低 |
| 外围电路要求 | 相对较少 | 比较多 |
| 类型 | 相对不常见 | 比较常见 |
| 容量（相同技术） | 更少 | 是SRAM的5到10倍 |
| 应用 | 通常用于较小的应用程序，如CPU高速缓存和硬盘驱动器缓冲区 | 常用作个人计算机的主存储器 |
| 类型 | 异步SRAM同步SRAM流水线突发SRAM | 快速页模式drameextended Data Out DRAMBurst EDO drs**同步DRAM |
| 访问 | 容易的 | 更努力 |
| 施工 | 困难 | 简单 |
| 耗电量 | 更少 | 更多 |
| 密度 | 低密度/每片内存更少 | 高密度/每片内存更多 |
- 发表于 2021-07-12 05:29
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- 分类：通用
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