东芝今天宣布,它已经成功地开发出号称是世界上第一个QLC-四层单元4位闪存的3D闪存设备。
这对闪存的未来来说是个大新闻,它以更便宜的价格创造了更高的存储密度。快闪存储器(非常,非常松散)的工作原理是使用一系列浮栅晶体管,其电荷值被指定为“0”或“1”-一位。这些存储器块或者布置在二维平面(平面NAND)中,或者堆叠在更节省空间的列(3D NAND,其仍然是相对新的)中。
为了最大化存储,这些内存块中的任何一个——无论是在二维平面上还是堆叠在一起——都可以被划分成更多的电荷级,以存储更多的数据。每个单元具有四个电荷水平(即两位)的闪存被称为多级单元(multi-levelcells)或MLC,而具有八个电荷水平(三位)的存储器被称为具有三级单元(triple-levelcells)或TLC。
QLC显然是下一步,通过将每个单元划分为16个电荷级别,每个单元中有4位数据,从而允许更大的存储容量。有一段时间,从TLC上达到这个水平似乎很困难;**业中需要精确区分电荷水平的精度水平呈指数级增长。但东芝公司推出了最新的3D NAND内存,该内存采用64层堆叠QLC单元。
QLC方法产生了768gigabit的芯片容量,与早期的512gigabit TLC芯片相比有了显著的改进。东芝指出,新的QLC芯片可以堆叠在一个16个芯片的封装中,形成一个具有1.5TB存储容量的设备,它声称这是一个单元中最大的容量。
对于普通消费者来说,这意味着更高容量的闪存可能很快就会以更少的成本出现。MLC、TLC和QLC闪存的优点是存储密度显著提高,这会导致内存更便宜,尽管这是以速度和耐久性为代价的。考虑到每次读取硬盘时都需要区分更多的收费级别,这些折衷在QLC中仍将继续存在,但东芝的成功对于希望在预算内最大化存储的用户来说是个好消息。
东芝本月早些时候已经开始将3D-QLC-NAND样品运送给供应商进行评估,但我们还没有确定何时可以为消费者提供。
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