IGBT与GTO
GTO(Gate-Turn-off晶闸管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种具有三个端子的半导体器件。它们都是用来控制电流和开关的。两个设备的操作都有不同的控制门。
门极关断晶闸管
GTO由四层P型和N型半导体层构成,器件结构与普通晶闸管几乎没有区别。在分析中,GTO也被认为是晶体管的耦合对(一个PNP,另一个NPN配置),与普通晶闸管相同。GTO的三个终端分别称为“阳极”、“阴极”和“栅极”。
在操作中,当向栅极提供脉冲时,晶闸管起传导作用。它有三种工作模式,称为“反向闭锁模式”、“正向闭锁模式”和“正向传导模式”。一旦用脉冲触发栅极,晶闸管将进入“正向导通模式”,并保持导通,直到正向电流小于阈值“保持电流”。
除了正常晶闸管的特性外,GTO的“关闭”状态也可以通过负脉冲进行控制。在正常晶闸管中,“关”功能自动发生。
gto是功率器件,主要用于交流应用。
绝缘栅双极晶体管
IGBT是一种半导体器件,有三个终端,分别被称为“发射极”、“集电极”和“栅极”。它是一种晶体管,可以处理更大的功率,具有更高的开关速度,使其效率更高。IGBT于20世纪80年代被引入市场。
IGBT兼有MOSFET和双极结晶体管(BJT)的优点。BJTs和电压驱动的MOSFET很像。因此,它具有高电流处理能力和易于控制的优点。IGBT模块(由许多设备组成)处理千瓦的功率。
IGBT和GTO有什么区别?1IGBT的三个终端分别是发射极、集电极和栅极,而GTO有阳极、阴极和栅极。GTO的栅极只需要一个脉冲进行开关,而IGBT则需要连续的栅极电压供应。IGBT是晶体管的一种,GTO是晶闸管的一种,在分析中可以看作是一对紧密耦合的晶体管。IGBT只有一个PN结,GTO有三个PN结。这两种器件都用于大功率应用。GTO需要外部器件来控制开关脉冲,而IGBT则不需要。 |