PVD和CVD的主要区别在于,PVD中的涂层材料是固态的,而CVD中的涂层材料是气态的。
PVD和CVD是一种可以在各种基底上沉积薄膜的涂层技术。基底涂层在许多情况下都很重要。涂层可以提高基体的功能性,在基体上引入新的功能性,保护基体免受有害外力等,是重要的技术手段。尽管这两种方法具有相似的方法,但PVD和CVD之间几乎没有区别;因此,它们在不同的情况下都是有用的。
目录
1. 概述和主要区别
2. 什么是PVD
3. 什么是心血管疾病
4. 并列比较——PVD与CVD的表格形式
5. 摘要
什么是pvd公司(pvd)?
PVD是物理气相沉积。它主要是一种蒸发涂层技术。这个过程包括几个步骤。然而,整个过程都是在真空条件下进行的。首先,用电子束轰击固体前体材料,使其产生该材料的原子。
其次,这些原子然后进入反应室,在那里涂层基底存在。在那里,在运输过程中,原子可以与其他气体反应生成涂层材料,或者原子本身也可以成为涂层材料。最后,它们沉积在基底上形成一层薄薄的涂层。PVD涂层可用于减少摩擦、提高物质的抗氧化性或提高硬度等。
什么是cvd公司(cvd)?
CVD是化学气相沉积。它是一种由气相材料沉积固体并形成薄膜的方法。尽管这种方法有点类似于PVD,但PVD和CVD有一些不同。此外,化学气相沉积有激光化学气相沉积、光化学化学气相沉积、低压化学气相沉积、金属有机化学气相沉积等不同类型。
在CVD中,我们是在衬底材料上涂覆材料。要进行这种涂层,我们需要将涂层材料以蒸汽的形式在一定温度下送入反应室。在那里,气体与基体反应,或者分解并沉积在衬底上。因此,在CVD装置中,需要有气体输送系统、反应室、衬底加载机构和能源供应装置。
此外,反应发生在真空中,以确保除反应气体外没有其他气体。更重要的是,衬底温度是决定沉积的关键;因此,我们需要一种方法来控制仪器内部的温度和压力。
最后,仪器应该有一个方法来清除多余的气体废物。我们需要选择挥发性涂料。同样地,它必须是稳定的;然后我们可以把它转化成气相,然后涂到基底上。氢化物如SiH4、GeH4、NH3、卤化物、金属羰基、金属烷基和金属醇氧化物是其中的一些前体。化学气相沉积技术可用于制备涂料、半导体、复合材料、纳米机械、光纤、催化剂等。
pvd公司(pvd)和cvd公司(cvd)的区别
PVD和CVD是涂层技术。PVD代表物理气相沉积,CVD代表化学气相沉积。PVD和CVD的主要区别在于,PVD中的涂层材料是固态的,而CVD中的涂层材料是气态的。作为PVD和CVD的另一个重要区别,我们可以说,在PVD技术中,原子在衬底上移动和沉积,而在CVD技术中,气体分子会与衬底发生反应。
另外,PVD和CVD在沉积温度上也存在差异。也就是说,对于PVD,它在相对较低的温度下沉积(大约250°C~450°C),而对于CVD,它在450°C到1050°C的相对高温下沉积。
总结 - pvd公司(pvd) vs. cvd公司(cvd)
PVD代表物理气相沉积,CVD代表化学气相沉积。两者都是涂层技术。PVD和CVD的主要区别在于,PVD中的涂层材料是固态的,而CVD中的涂层材料是气态的。
引用
1R、 Morent,N.De Geyter,《提高性能、保护和健康的功能性纺织品》,2012年。“化学气相沉积”,维基百科,维基媒体基金会,2018年10月5日。此处提供