EPROM与EEPROM
EEPROM和EPROM是20世纪70年代发展起来的两种存储元件,它们是非易失性可擦除和可重编程的存储器类型,常用于硬件编程。
什么是EPROM?
EPROM是可擦除可编程只读存储器的缩写,也是一类可编程也可擦除的非易失性存储器设备。EPROM是1971年英特尔公司的多夫·弗罗曼(Dov Frohman)基于对晶体管门连接断裂的故障集成电路的调查而开发的。
EPROM存储单元是大量的浮栅场效应晶体管的集合。数据(每一位)被写在芯片内的单个场效应晶体管上,使用一个编程器在芯片内部创建源漏触点。基于单元地址,一个特定的FET存储数据和电压远高于正常数字电路的工作电压在这种操作中使用。当电压被移除时,电子被困在电极中。由于其极低的导电性,栅极之间的二氧化硅(SiO2)绝缘层可以长时间地保持电荷,因此可以保留10到20年的记忆。
EPROM芯片通过暴露于强紫外线源(如水银蒸气灯)而被擦除。可以使用波长小于300nm的紫外光进行擦除,并在近距离(<3cm)下曝光20-30分钟。为此,EPROM封装是建立在一个熔融石英窗口,使硅芯片暴露在光。因此,EPROM很容易从这个特征熔融石英窗口中识别出来。也可以用X射线进行擦除。
eprom基本上用作大型电路中的静态存储器。它们被广泛用作计算机主板的BIOS芯片。但它们被诸如EEPROM这样更便宜、更小、更快的新技术所取代。
什么是EEPROM?
EEPROM是电子可擦除可编程只读存储器的缩写,在闪存出现之前,它是使用最广泛的存储单元类型。EEPROM是由georgeperlogos于1978年在之前开发的EPROM技术的基础上开发的。英特尔2816是第一个商用的EEPROM芯片。
eeprom也是一个像eprom一样的浮栅mosfet阵列,但是与eprom不同的是,eeprom在栅极之间有一层更薄的绝缘层。因此,门中的电荷可以通过电子方式改变。EEPROM是电子可编程和可擦除的。它们可以被编程、擦除,然后重新编程,而无需从电路中移除。但电路必须设计成能传输特殊的编程信号。
根据数据通信模式,eeprom分为串行和并行接口类型。一般来说,并行总线芯片有一个8位宽的数据总线,允许更广泛的内存使用。相反,串行接口类型的管脚较少;因此,操作必须以串行方式执行。因此,与串行接口类型的EEPROM相比,并行EEPROM的速度更快,被广泛使用。
EEPROM芯片广泛应用于计算机和其他电子设备中,用于存储断电时必须保存的少量数据,并且在重启时需要重新获取这些数据。配置细节和校准表等信息存储在EEPROM中。eeprom也被用作BIOS芯片。flashrom现在是EEPROM的一个变种,由于其容量大、成本低、续航能力强,已经占领了市场。
EEPROM和EPROM有什么区别?
•EPROM必须在紫外光照射下擦除,EEPROM可通过电子方式擦除。
•EPROM封装中有一个石英窗口,可将芯片暴露在紫外线下,EEPROM完全封装在不透明的塑料外壳中。