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DRAMは、集積回路内の独立コンデンサを用いてデータ内のすべてのコンテンツを格納するランダムアクセスメモリである。DramはコンピュータCPUのユニットです。Sramは、Dramの各メモリよりも多くのトランジスタを使用するコンピュータデータ格納の形態である。Scramはコンピュータのキャッシュに適用され、Dramはメインメモリに適用されます。Sramは静的で,速度はやや速いが,Dramは動的で,前者より少し遅い。SramはDramよりエネルギー消費が少ない。Sramの中のすべてのものがもっと多いので、Dramよりも高価です。Dramは、読み取り操作後にリフレッシュする必要があります。Sramはリフレッシュを必要としない。Dramはコンピュータ内のメインメモリであり、長期記憶には使用されません。SramはCPUの二次キャッシュと三次キャッシュに用いられる。サイズ範囲は16 GBから1 GBまでです。Sramのサイズは1 MBから16 MBしかないかもしれません。
ターゲット | SRAM | デラム |
完全な形式 | ランダム静的メモリ。 | ダイナミックランダムアクセスメモリ。 |
消費電力 | その他 | より少ない |
価格 | 高価 | もっと安い |
保管部 | 長期記憶は保存できる。 | 短期メモリアプリケーションにのみ適しています。 |
すんぽうはんい | および1-4 GB | 1-16 GB |
使用 | 各ビットは、集積回路内の独立コンデンサに格納される。 | デュアルスタティックラッチ回路を使用して、各ビットを格納します。 |
DRMAは、動的ランダムアクセスメモリ(dynamicrandom Access Memory、略称DRMA)の略であり、集積回路において各ビット情報またはデータを分離コンデンサに蓄積するためのランダムアクセスメモリである。Dramはコンピュータのメインメモリであり、CPUキャッシュによく用いられる。その構造は簡単で、ビットごとに1つのトランジスタと1つのコンデンサしか必要ありません。この単純性はDramが非常に高い密度に近づくのに役立つ。電源が切れるとすぐにデータが失われるため、揮発性メモリです。Dramには極小のトランジスタとコンデンサが用いられ,単一メモリカードに数十億個のトランジスタとコンデンサを置くことができる。このような消費とエネルギーの使用をいくつかの方法で管理することで、より多くの電気エネルギーを消費します。Dramは、通常、データビットごとに1つのコンデンサとトランジスタからなる矩形電荷蓄積セルに装着される。Dramは各データを容量構造中の負電荷または正電荷として記憶する。DramのメモリサイズはGBsから始まります。
SRAMは、静的ランダムアクセスメモリの略であり、CPUにおけるデータストレージの一種である。電源が継続するまで、メモリにデータビットをキャッシュします。Sramはリフレッシュを必要としない。Sramのモジュールはより単純であり,この違いにより多くのユーザがメモリにアクセスするためのインタフェースを容易に設計できるようになった。メモリを記憶するのに必要なトランジスタの数はSramの中でずっと高い。速度需要が最も重要な点ではSramを優先する。より少ない電力と機能をより速く使用しますが、高価なツールです。