エッジ転位とスパイラル転位の大きな違いは、エッジ転位は格子の真ん中に半分の原子面が余分にある場合に発生する線欠陥であるのに対し、スパイラル転位は同じく線欠陥であるが、格子上の原子面が転位線の周りを螺旋状に回ることで発生することである。

結晶欠陥とは、格子の繰り返しパターンにある欠陥のこと。さらに、これらの欠陥は、格子の規則的なパターンを乱すこともある。線状欠陥は、結晶欠陥の一種で、格子の中心である原子面上に欠陥が発生するものである。線欠陥には、格子中の原子が不整列に存在する「エッジ転位」と「スパイラル転位」の2種類がある。

カタログ

1.概要と主な違い 2.限界性脱臼とは 3.スクリュー性脱臼とは 4.横並び比較-リスト形式限界性脱臼とスクリュー性脱臼 5.まとめ

縁ずれは何ですか？

端点転位は、余分な原子面が存在するか、格子の中央で原子面の半分が失われることによって発生する格子の線状欠陥である。この欠陥によって、近傍の原子面が転位の方向に曲げられる。その結果、原子の隣接する平面が直線でなくなってしまうのです。この欠陥が発生する領域が転位芯または転位領域である。

図01：エッジのズレ

このような欠陥のある結晶に応力を加えると、転位領域は応力の方向に平行に移動する。しかし、原子面半分の動きは、もう半分の原子面が存在しない領域に比べれば、非常に小さい。エッジ転位はどの面でも滑ることができる。

スクリュー外れは何ですか？

ヘリカル転位も線欠陥の一種で、結晶格子中の原子の平面が転位線の螺旋状の軌道に沿って移動することによって発生する。この欠陥は、結晶で観察することは困難である。端点転位とは異なり、このような欠陥を持つ結晶に応力を加えると、転位領域は応力の方向に対して垂直に移動する。

Fig.02: スクリューのミスアライメント

しかし、スパイラル転位による応力は、どの面でもスライドできるエッジ転位による応力より小さい。

端とねじればなれの違い

端点転位は、結晶格子の線欠陥の一種で、余分な原子面が存在すること、あるいは格子の真ん中の原子面の半分が失われることで発生するものである。エッジ転位のある結晶に応力を加えると、転位領域は応力の方向と平行に移動する。さらに、端の転位はどの平面でもスライドすることができます。

一方、ヘリカル転位は、結晶格子中の原子の平面が転位線の螺旋状の軌道に沿って移動することで発生する線欠陥の一種である。このような欠陥のある結晶に応力を加えると、転位帯は応力の方向と垂直に移動する。さらに、ヘリカル転位はどのような面でも滑ることができる。これが、エッジ型脱臼とスクリュー型脱臼の大きな違いです。

概要 - 端 vs. ねじればなれ

線状欠陥は、結晶欠陥の一種です。この欠陥には、エッジ転位とスパイラル転位という2つの形態がある。エッジ転位とヘリカル転位の違いは、エッジ転位は格子上の原子面が転位線のヘリカル経路に沿って移動することで発生し、ヘリカル転位は格子上の原子面が転位線のヘリカル経路に沿って移動することで発生します。

引用

1 "水晶の欠陥"Mannich Reaction｜マンニッヒ反応機構｜[email protected]はこちらからご覧いただけます。