位錯蠕變和擴散蠕變的主要區別在於位錯蠕變是位錯在材料晶體結構中的運動，而擴散蠕變是空位在晶格中的擴散。
物理化學中的變形是指物體從參考結構到當前結構的連續力學變換。
目錄
1. 概述和主要區別
2. 什麼是位錯蠕動
3. 什麼是擴散蠕變
4. 並列比較-位錯蠕變與擴散蠕變的表格形式
5. 摘要
什麼是位錯蠕變(dislocation creep)？
位錯蠕變是晶體材料中的一種變形機制，它涉及位錯在材料晶格中的運動。這與擴散蠕變的機理相反。位錯蠕變導致單個晶體的塑性變形，從而導致材料本身的塑性變形。
這種變形對材料上的差異應力非常敏感。例如，在非常低的溫度下，位錯蠕變是大多數晶體材料的主要變形機制。
圖01：圖中的位錯蠕變
晶體中的位錯蠕變是由於位錯在整個晶格中的運動而發生的。當位錯穿過晶體時，晶體的一部分傾向於沿一個平面移動一個晶格點（相對於晶體的其餘部分）。分離移動區域和未移動區域的平面稱為滑動面。為了允許這種運動，沿滑移面的所有離子化學鍵必須立即斷裂。此外，從理論上講，這種鍵斷裂需要大量的能量，才有可能發生位錯蠕變。假設這一運動是逐步進行的，鍵的斷裂緊接著是一個新的鍵在低能量水平上產生。
由於位錯在晶格中的逐步移動，在晶格的各個部分之間可能產生線性晶格缺陷。位錯蠕動分為邊緣位錯和螺旋位錯兩種類型。在位錯位錯蠕動中，晶格中額外一層原子的邊緣形成。在螺旋位錯蠕變中，它形成了一條線，晶格沿著這條線跳躍一個點陣點。
什麼是擴散蠕變(diffusion creep)？
擴散蠕變是晶體材料中空位通過晶格擴散的一種變形機制。這種變形技術導致材料的塑性變形，而不是脆性破壞。
與晶格中發生的其他變形類型相比，這種變形類型對溫度更為敏感。擴散蠕變通常發生在高溫下。此外，擴散蠕變導致晶體缺陷通過晶格的遷移，當晶體在一個方向上承受比另一個方向更大程度的壓縮時。在那裡，缺陷沿著壓縮方向向晶面遷移。這導致淨質量轉移，從而導致晶體在發生最大壓縮的方向上縮短。
通常，晶體在微觀尺度上並不完美。這是因為晶格中的某些原子位置被點缺陷、粒子或空位所佔據。這些空位可以看作是可以用非均相平衡處理的化學物種。在這種現象中，空位的數量受到晶體中化學雜質數量的影響。由於相鄰粒子的“跳躍”，這些空位可以在晶體結構中移動。
位錯蠕變(dislocation creep)和擴散蠕變(diffusion creep)的區別
物理化學中的變形是指物體從參考結構到當前結構的連續力學變換。位錯蠕變和擴散蠕變的主要區別在於位錯蠕變是位錯在材料晶體結構中的運動，而擴散蠕變是空位在晶格中的擴散。
下面的信息圖表列出了位錯蠕變和擴散蠕變之間的差異，以便進行並列比較。
總結 - 位錯蠕變(dislocation creep) vs. 擴散蠕變(diffusion creep)
位錯蠕變和擴散蠕變是晶格中的兩種變形機制。位錯蠕變和擴散蠕變的主要區別在於位錯蠕變是位錯在材料晶體結構中的運動，而擴散蠕變是空位在晶格中的擴散。
引用
1.“擴散蔓延”科學直接主題，可在此處獲得。
