電可擦可程式設計只讀儲存器(eeprom)和快閃記憶體(flashrom)的區別

從計算機出現的早期起,記憶體就一直是一個問題。所有依賴計算的裝置都有一種或另一種形式的記憶體,以便長時間儲存資料或直到裝置斷電。...

從計算機出現的早期起,記憶體就一直是一個問題。所有依賴計算的裝置都有一種或另一種形式的記憶體,以便長時間儲存資料或直到裝置斷電。

在過去,電子裝置需要某種非易失性的儲存方法來儲存執行其功能所需的所有資料。這一發展導致了EPROM及其後繼者EEPROM(電可擦除可程式設計儲存器)的誕生。EEPROM的主要特點是程式設計師可以一次改變嵌入記憶體中的一個位元組的資料,使他能夠更好地控制如何輸入資料。但是這種方法需要很長的時間,尤其是在刪除其中的資料時。EEPROM主要用於電子產品中,這些電子產品在出廠前只需程式設計幾次,然後就可以透過補丁進行更新。這方面的一個例子就是擁有計算機BIOS(基本輸入輸出系統)的晶片。可以使用**商的更新對其進行重新程式設計,以便新增更多功能或修複裝運時未發現的錯誤。

快快閃記憶體儲器是EEPROM的一個分支,它將儲存器的各個部分連線成塊。儘管將資料寫入快閃記憶體仍然是在位元組級完成的,但刪除內容意味著刪除整個塊。這一特性使快閃記憶體比EEPROM具有更快的速度。快閃記憶體變得非常流行,因為它比硬碟耗電少很多,而且很便宜Â 更耐用;能夠承受過多的熱量、壓力,甚至被淹沒在水中。快閃記憶體成為老化軟盤的即時替代品,不僅因為它的耐用性,而且因為它的大容量和相對較小的尺寸。快閃記憶體的唯一缺點是,與EEPROM一樣,它只能持續一定數量的資料週期,然後才會出現故障。

EEPROM和Flash是目前仍被廣泛使用的兩種儲存器型別。儘管看起來不太可能,flash只是EEPROM的一個專門版本,它允許使用者擦除大塊資料以提高裝置的整體速度。儘管存在差異,但很明顯,這兩種記憶形式在可預見的未來仍然存在。

  • 發表於 2021-06-22 11:25
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