ibm的相變儲存器比flash快，比ram更可靠
IBM今天宣佈了一種更有效的使用相變儲存器的方法，這是一項突破，可以幫助電子裝置從標準RAM和快閃記憶體過渡到更快、更可靠的儲存型別。相變儲存器，或稱PCM，是一種非易失性光學儲存器，它透過操縱硫系玻璃的行為來工作，這就是資料儲存在可重寫藍光光碟上的方式。施加電流將PCM單元從非晶態結構轉變為晶態結構，使您可以在任一狀態下儲存0和1，同時施加低電壓可以讀回資料。
過去的問題是PCM容量有限，成本高；通常每個單元只能儲存一個1位。這使得它對膝上型電腦或行動電話儲存等主存應用程式用處不大。然而，IBM的研究人員透過修補晶體對高溫的反應，發現瞭如何在每個細胞中儲存3位元，而高溫是PCM細胞進入多種狀態所必需的。IBM非易失性儲存器研究部經理Haris Pozidis在一份宣告中寫道：“因為在這種密度下，PCM的成本將大大低於DRAM，更接近快閃記憶體。”。
IBM表示，這些應用範圍從取代現代臺式電腦中的RAM，到使用PCM和快閃記憶體的混合形式來大幅提高移動裝置的速度。”例如，一部**的作業系統可以儲存在PCM中，使**在幾秒鐘內啟動在企業空間，整個資料庫可以儲存在PCM中，以便為時間緊迫的線上應用程式（如金融交易）提供快速的查詢處理。”
甚至有基於雲的人工智慧應用程式可以從PCM中受益。”該公司寫道：“使用大型資料集的機器學習演算法還將透過減少迭代之間讀取資料時的延遲開銷來提高速度。”。與flash相比，PCM可以承受大約3000個寫週期，它可以承受多達1000萬個週期，這使它成為一種可能改變資料中心行業的技術。
- 發表於 2021-05-05 01:41
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