主要差异干燥(main difference dry) vs. 湿法腐蚀(wet etching)

蚀刻基本上是从表面去除物质。根据要去除的材料的不同，已经发明了不同的蚀刻工艺。湿法蚀刻和干法蚀刻就是这样的工艺。湿法腐蚀可称为各向同性腐蚀。干法刻蚀可称为各向**刻蚀。这些湿法和干法蚀刻工艺可根据工艺和其他影响蚀刻的因素进一步划分。干法蚀刻和湿法蚀刻的主要区别在于干法蚀刻是在液相进行的，而湿法蚀刻是在等离子体相进行的。

覆盖的关键领域

1.什么是干蚀刻-定义、技术、应用、优点和缺点2.什么是湿蚀刻-定义、技术、应用、优点和缺点3.干蚀刻和湿蚀刻的区别是什么-主要区别的比较

Key Terms: Anisotropic, Dry Etching, Etching, Isotropic, Liquid Phase, Pla**a Etching, Pla**a Phase, Wet Etching

什么是干法蚀刻(dry etching)？

干法刻蚀是在等离子体阶段进行的刻蚀过程。在这里，材料去除反应发生在气相。干法刻蚀又称等离子刻蚀。此过程可用于在曲面上创建设计的图案。干法蚀刻可用于印刷电路板。干法蚀刻有两种类型。

1. 非等离子体腐蚀
2. 等离子体刻蚀

基于非等离子体的蚀刻使用适当的反应性气体混合物的自发反应。等离子体刻蚀利用射频功率驱动化学反应。在等离子体形成过程中，腔室被抽真空并充满气体。使用无线电频率。这个外加频率可以加速电子。这会增加燃烧室内的动能。电子将与中性气体分子形成胶体。这导致离子和更多电子的形成。这种电离最终导致等离子体的形成(等离子体是由等量的阳离子和电子以及中性分子组成的系统。）

Figure 1: Hydrogen Pla**a Etching Process

优点和缺点

干法蚀刻工艺有许多优点。它消除了处理危险化学品的需要。它使用少量的化学物质进行蚀刻。一个主要的优点是高分辨率和清洁度，可以从干蚀刻获得。这个过程也很容易控制和处理。除此之外，干法蚀刻可以很容易地实现自动化。

但也有一些缺点。例如，干法蚀刻中使用的一些气体有毒且具有腐蚀性。挥发性化合物的再沉积是使用挥发性化合物时出现的一个主要问题。这种方法非常昂贵，因为需要专门的设备。

什么是湿法腐蚀(wet etching)？

湿法刻蚀是在液相上进行的刻蚀过程。用于蚀刻过程的化学物质称为蚀刻剂。湿法蚀刻使用蚀刻剂槽进行蚀刻。但这种方法并不十分精确。但是，它比干蚀刻工艺容易处理。在湿法蚀刻中，基本上发生的是，要去除的材料通过将其浸入化学槽中溶解。

Figure 2: Copper Sulfate Etching Bath

优点和缺点

这是可用于蚀刻的最简单工艺。因为它只需要一个化学浴作为液体溶液。然而，这种方法的一个缺点是化学浴也能溶解表面所需的材料。因此，应使用合适的掩蔽剂。否则，应使用缓慢溶解表面材料的化学品（比必须去除的材料慢）。

干的(dry)和湿法腐蚀(wet etching)的区别

定义

干蚀刻：干蚀刻是在等离子体相进行的刻蚀过程。

湿法刻蚀：湿法刻蚀是在液相进行刻蚀的过程。

阶段

干法蚀刻：干法蚀刻使用气相化学品。

湿法蚀刻：湿法蚀刻使用液相化学品。

安全

干法蚀刻：干法蚀刻比湿法蚀刻安全得多。

湿法蚀刻：湿法蚀刻不安全，因为处理危险化学品会造成水污染。

精度

干法蚀刻：干法蚀刻工艺更精确。

湿法蚀刻：湿法蚀刻工艺精度较低。

化学品使用

干法蚀刻：干法蚀刻使用很少的化学品。

湿法蚀刻：湿法蚀刻使用许多化学物质。

成本

干法蚀刻：干法蚀刻是昂贵的，因为需要专门的设备。

湿法蚀刻：湿法蚀刻并不昂贵，因为它只需要一个化学浴。

结论

干法和湿法刻蚀是两种主要的刻蚀工艺。这些过程对于移除表面材料和在曲面上创建图案非常有用。干腐蚀和湿法刻蚀的主要区别在于，干腐蚀是在液相上进行，而湿腐蚀是在等离子体相进行的。

引用

1.“等离子知识：干法刻蚀”，《干法刻蚀与干法刻蚀与湿法刻蚀》，2016年2月12日，此处提供。访问日期：2017年9月27日。2.“蚀刻工艺”，Memsnet，可在此处获得。访问日期：2017年9月27日。3.“蚀刻（微加工）。”维基百科，维基媒体基金会，2017年7月23日，可在此处获取。查阅日期：2017年9月27日。 2.“蚀刻工艺”Memsnet， 3.“蚀刻（微加工）。”维基百科，维基媒体基金会，2017年7月23日，