场效应晶体管(fet)和mosfet(mosfet)的区别

场效应管vs MOSFET...

场效应管vs MOSFET

晶体管是一种半导体器件，它使我们所有的现代技术成为可能。它是用来控制电流，甚至放大它的基础上输入电压或电流。有两种主要类型的晶体管，BJT和FET。在每个主要类别下，都有许多子类型。这是FET和MOSFET最显著的区别。场效应晶体管（FET）是场效应晶体管（Field Effect Transistor）的缩写，是一系列非常不同的晶体管，它们共同依赖于栅极电压产生的电场来控制漏极和源极之间的电流。场效应晶体管的许多类型之一是金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。金属氧化物半导体用作晶体管的栅极和衬底之间的绝缘层。

现在大多数mosfet的氧化物绝缘层是二氧化硅。硅不是一种金属，而是一种非金属，这似乎令人困惑。最初，一种金属被实际使用，但由于其优越的特性被硅所取代。二氧化硅基本上是一个电容器，每当电压施加到栅极上时，它就保持电荷。然后，这个电荷通过牵引相反的带电粒子或排斥具有相同电荷的粒子来产生电场，并允许或限制漏极和源极之间的电流流动。

虽然有许多晶体管可用于数字电路中，但目前首选的是MOSFET。CMOS（互补金属氧化物半导体）基本上采用p型和n型mosfet成对互补。在这种配置中，MOSFET只在开关期间有显著的功耗，而在保持其状态时没有。这是非常可取的，特别是在现代计算设备的功率和热极限推到边缘。其他类型的场效应晶体管不能复制这种能力，或者**成本太高。

MOSFET的进步是不断发展的，无论是在规模上，还是在公司不断向更小的体系结构发展的过程中。但在3D MOSFET这样的设计上也显示出了很大的潜力。MOSFET是当今晶体管的首选，因为研究人员试图找到其他类型的晶体管来替代它。

总结：

MOSFET是FET2的一种。MOSFET是数字电路中FET的首选类型

  • 发表于 2021-06-24 00:17
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