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功率半导体是一种开关型器件,主要用于控制和转换电子电路中的电能。一般来说,这些器件利用半导体元件中的电子特性,如砷化镓、锗和硅。这些设备也被称为电力设备,通常在标准操作过程中可以消除超过一瓦特的电力。当应用在集成电路中时,它们通常被称为功率IC,集成电路可以包含在单个半导体上连接在一起的数百万个设备。。...
金属氧化物半导体(MOS)晶体管是大多数现代数字存储器、处理器和逻辑芯片的组成部分。它也是许多模拟和混合信号集成电路中的常见元件。这些晶体管存在于从手机、电脑到数字控制冰箱和电子医疗设备的各种电子设备中。MOS晶体管用途广泛,可以用作开关、放大器或电阻器。它也被称为一种特殊类型的场效应晶体管(FET),称为绝缘栅(IGFET)或MOS(MOSFET)。场效应是指晶体管栅极电荷产生的电场 ....
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种半导体器件。MOSFET最常用于电力电子领域。半导体是由既不像绝缘体也不像导体的人造材料制成的。绝缘体是一种不会导电的天然材料,比如一块干燥的木头。导体是导电或导电的天然材料。金属是导体最常见的例子。制造MOSFET等器件的半导体材料既具有类似绝缘的特性,也具有类似导电的特性。最重要的是,半导体的设计可以控制其导电或绝缘性能。...
双极晶体管是唯一真正的功率晶体管使用,直到非常有效的MOSFET出现在70年代初。自1947年底问世以来,BJTs的电气性能得到了极大的提高,目前仍广泛应用于电子电路中。双极晶体管具有相对缓慢的关断特性,并且呈现负温度系数,这可能导致二次击穿。然而,mosfet是电压控制而不是电流控制的器件。它们具有阻止热失控的电阻的正温度系数,因此不会发生二次击穿。后来,IGBTs在20世纪80年代末出现。IG...
两者都是压控场效应晶体管(FET),主要用于放大微弱信号,主要是无线信号。它们是可以放大模拟和数字信号的单极装置。场效应晶体管(FET)是一种利用电场效应改变器件电性能的晶体管。它们被用于从射频技术到开关、功率控制到放大的电子电路中。它们利用电场来控制通道的导电性。场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。两者主要用于集成电路,工作原理十分相似,但...
BJT与MOSFET...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)是两种类型的晶体管,它们都属于栅极驱动类型。两种器件都具有相似的结构,具有不同类型的半导体层。...
晶体管是一种电子半导体器件,它能在小输入信号的微小变化下提供大幅度变化的电输出信号。由于这种特性,该器件可以用作放大器或开关。晶体管于20世纪50年代问世,从对晶体管的贡献来看,它是20世纪最重要的发明之一。它是一种快速发展的器件,已经引入了许多类型的晶体管。双极结晶体管(BJT)是第一种晶体管类型,而金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是后来引进的另一种晶体管类型。...
场效应晶体管(FET)是一种电压控制器件,其载流能力通过施加电场而改变。一种常用的场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MOSFET广泛应用于集成电路和高速开关领域。MOSFET的工作原理是在氧化物绝缘栅电极上施加电压,在源极和漏极之间形成一个导电通道。根据流经沟道的载流子的类型,有两种主要类型的MOSFET称为nMOSFET(通常称为NMOS)和pMOSFET(俗称PMOS...