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維持可能セル速度

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GTOカンパニーとソルベンシー自己資本規制の違い

サイリスタ（scr）とgto（gate turn-off thyristor）は、4つの半導体層で構成されるサイリスタの一種である。いずれの素子もアノード、カソード、ゲートと呼ばれる3つの端子を持ち、ゲートにかかるパルスによって素子に流れる電流を制御する...

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匿名者發佈於 2020-10-23 07:28

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ビージェーティーカンパニー（BJT）とソルベンシー自己資本規制の違い

bjt（バイポーラ接合型トランジスタ）とscr（シリコン制御型トランジスタ）は、いずれもp型とn型の半導体層を交互に配置した半導体デバイスである。高効率、低コスト、小型であることから、多くのスイッチング用途に広く使用されている。いずれも3端子デバイスで、小さな制御電流で良好な範囲の電流制御が可能です。どちらのデバイスもアプリケーションに依存した利点があり...

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匿名者發佈於 2020-10-18 21:43

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