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3つの端子を持つ半導体素子として、gto(ゲートターンオフサイリスタ)とigbt(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)がある。どちらも電流の制御やスイッチのON/OFFに使われる。両デバイスは、それぞれ異なるコントロールゲートで動作する...
トランジスタもサイリスタも、p型半導体層とn型半導体層が交互に並ぶ半導体デバイスである。高効率、低コスト、小型であることから、多くのスイッチング用途に広く使用されている。いずれも3端子デバイスで、小さな制御電流で良好な範囲の電流制御が可能です。どちらのデバイスもアプリケーションに依存した利点があり...
サイリスタと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)は3つの端子を持つ半導体デバイスで、いずれも電流を制御するために使用されるもので、サイリスタと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの2種類がある。どちらも「ゲート」と呼ばれる制御端子を持つデバイスだが、動作原理は異なる...。
サイリスタ(scr)とgto(gate turn-off thyristor)は、4つの半導体層で構成されるサイリスタの一種である。いずれの素子もアノード、カソード、ゲートと呼ばれる3つの端子を持ち、ゲートにかかるパルスによって素子に流れる電流を制御する...
bjt(バイポーラ接合型トランジスタ)とscr(シリコン制御型トランジスタ)は、いずれもp型とn型の半導体層を交互に配置した半導体デバイスである。高効率、低コスト、小型であることから、多くのスイッチング用途に広く使用されている。いずれも3端子デバイスで、小さな制御電流で良好な範囲の電流制御が可能です。どちらのデバイスもアプリケーションに依存した利点があり...