NAND閃存vs NOR閃存
閃速存儲器是現代計算系統中最常用的非易失性半導體存儲器之一，廣泛應用於移動設備和消費設備中。nandflash和NOR-flash是flash技術的主要形式。Flash memory技術是EEPROM的擴展，NAND/NOR代表用於構建存儲設備的門結構。
什麼是NAND閃存？
閃存芯片被劃分為稱為塊的擦除段，數據存儲在這些擦除塊中。在nandflash架構中，這些塊是按順序連接的。擦除塊的大小為8kB到32kB，較小，允許提高讀、寫和擦除速度。另外，NAND設備使用複雜的串行連接接口進行連接，並且接口可能因**商而異。一般來說，八個管腳用於傳輸、控制和檢索數據信息。在一個瞬間，所有8個管腳都被使用，通常以512kB的脈衝傳輸數據。
結構上的NAND架構是為優化高密度光刻技術而設計的，作為對較小塊大小的隨機存取能力的折衷。這使得NAND閃存的每捲成本更低。理論上，NAND-flash的密度是NOR-flash的兩倍。
nandflash適用於數據存儲。PC卡、閃存、SD卡和MP3播放器使用NAND閃存驅動器作為內存。
什麼是NOR Flash？
NOR閃存是兩種閃存中較早的一種。在NOR-flash的內部電路配置中，各個存儲單元是並行連接的；因此，可以隨機順序訪問數據。由於這種隨機訪問能力，在檢索要執行的信息時，NOR的讀取時間非常短。NOR類型的flash是可靠的，並導致較少的位翻轉問題。
NOR-flash中擦除塊的密度低於NAND架構。因此，每卷的成本更高。它在待機狀態下也會消耗更高級別的能量，但在運行期間，它比NAND flash消耗的能量相對較低。而且，寫入速度和擦除速度都很低。但是使用NOR-flash的代碼執行要高得多，因為它內置了隨機訪問體系結構。
NOR閃存用於設備中的代碼存儲，例如數碼相機的代碼存儲單元和其他嵌入式應用程序。
nandflash和NOR-Flash有什麼區別？
•NOR-flash比NAND-flash架構更古老。
•NAND閃存比NOR閃存具有更高的擦除塊密度。
•在NAND-flash架構中，擦除塊按順序連接，而在NOR-flash中，這些塊是並行連接的。
•NAND的訪問類型是順序的，而NOR沒有隨機訪問。
•因此，NOR的讀取速度比NAND快。
•與NAND閃存相比，NOR閃存的擦除速度非常慢，而且NOR的寫入速度也很慢。
•NAND可以經歷100000-1000000個擦除週期，而NOR只能維持大約10000-100000個週期。
•NOR閃存更可靠，位翻轉的百分比更低，而NAND閃存需要額外的位來進行錯誤管理。
•NAND閃存適用於數據存儲，而NOR閃存適用於代碼存儲。
•與NOR閃存相比，NAND閃存的每捲成本更低。
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1閃存驅動器和筆驅動器的區別
2閃存和硬盤的區別
