cmos晶片(cmos)和ttl公司(ttl)的區別

CMOS與TTL

隨著半導體技術的出現，集成電路得到了發展，它們已經找到了涉及電子技術的各種形式的方法。從通訊到醫學，每一個設備都有集成電路，如果用普通的元件來實現，電路會消耗大量的空間和能量，而這些電路是用當今先進的半導體技術在微型硅片上建造的。

所有的數字集成電路都是用邏輯門作為基本組成部分來實現的。每個門都是用晶體管、二極管和電阻器等小電子元件構成的。使用耦合晶體管和電阻器構造的邏輯門集合統稱為TTL門族。為了克服TTL門的缺點，人們設計了更先進的方法來構建TTL門，如pMOS、nMOS和最新流行的互補金屬氧化物半導體型CMOS。

在集成電路中，柵極是建立在硅晶片上，技術上稱為襯底。在門結構技術的基礎上，由於基本門設計的固有特性，如信號電壓電平、功耗、響應時間和集成規模，集成電路也分為TTL和CMOS兩大類。

關於TTL的更多信息

TRW的jamesl.Buie於1961年發明了TTL，它替代了DL和RTL邏輯，長期以來是儀器儀表和計算機電路的首選IC。TTL集成方法一直在不斷髮展，現代軟件包仍在專門的應用中使用。

TTL邏輯門是由耦合的雙極結晶體管和電阻構成的，用來創建一個與非門。輸入低（IL）和輸入高（IH）的電壓範圍分別為0&lt；IL&lt；0.8和2.2&lt；IH&lt；5.0。輸出低電壓和輸出高電壓範圍依次為0&lt；OL&lt；0.4和2.6&lt；OH&lt；5.0。TTL門的可接受輸入和輸出電壓受靜態約束，以在信號傳輸中引入更高水平的抗擾度。

在平均功率為10A/10A的功率為10A/L時，平均功率為15A/L。但是與CMOS相比，功耗相當穩定。TTL還具有更高的抗電磁干擾能力。

TTL的許多變體是為特定目的而開發的，例如用於空間應用的抗輻射TTL包和提供速度（9.5ns）和降低功耗（2mW）的低功耗肖特基TTL（LS）

關於CMOS的更多信息

1963年，Fairchild半導體公司的frankwanlass發明了CMOS技術。然而，第一個CMOS集成電路直到1968年才被生產出來。弗蘭克·萬拉斯1967年在RCA工作時申請了這項發明的專利。

CMOS邏輯家族以其低功耗、低噪聲等諸多優點成為應用最廣泛的邏輯家族。所有常見的微處理器、微控制器和集成電路都使用CMOS技術。

CMOS邏輯門是用場效應晶體管fet構成的，電路中大部分沒有電阻。因此，在靜態狀態下，CMOS門完全不消耗任何功率，在這種狀態下，信號輸入保持不變。輸入低（IL）和輸入高（IH）的電壓範圍分別為0&lt；IL&lt；1.5和3.5&lt；IH&lt；5.0；輸出低和輸出高電壓範圍分別為0&lt；OL&lt；0.5和4.95&lt；OH&lt；5.0。

CMOS和TTL有什麼區別？

•TTL元件相對較等效CMOS元件便宜。然而，與TTL元件相比，CMOs技術在更大的規模上趨向於經濟，因為電路元件更小並且需要更少的調節。

•CMOS組件在靜態狀態下不會消耗功率，但功耗會隨著時鐘頻率的增加而增加。另一方面，TTL具有恆定的功耗水平。

•由於CMOS具有低電流要求，功耗有限，因此電路更便宜，更易於設計用於電源管理。

•由於上升和下降時間較長，CMOs環境中的數字信號可以降低成本和複雜性。