ibm的5nm芯片可以将电池寿命提高四倍
IBM与三星（Samsung）和GlobalFoundries（GlobalFoundries）合作开发了一种5nm芯片**工艺。两年前IBM推出了7nm工艺，三星明年可能会推出7nm芯片，但今天的宣布听起来像是芯片设计方面更重要的突破。
与目前最先进的芯片中使用的垂直翅片设计（FinFET）相比，5nm芯片使用的是“全栅”晶体管（GAAFET），栅极材料包裹在三个水平硅“纳米片”上。IBM声称FinFET有可能缩小到5nm，但是由于在这个范围内通过微小散热片的电流的限制，这种设计有一个性能上限。在某种程度上，门的全方位架构比FinFET更简单，而且可能可以缩小到3nm，根据Ars Technica。
IBM声称基于这种新设计的芯片在相同的功率水平下，比目前生产的10nm芯片性能提高40%。或者，更有趣的是，在当前一代的性能水平上，节电了75%。这里使用的新EUV光刻（极紫外）工艺还允许在单芯片设计中连续调整纳米片宽度，这意味着可以在一个**过程中对电路的功率和性能进行微调。
- 发表于 2021-05-11 11:12
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