IGBT与GTO
GTO（Gate-Turn-off晶闸管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）是两种具有三个端子的半导体器件。它们都是用来控制电流和开关的。两个设备的操作都有不同的控制门。
门极关断晶闸管
GTO由四层P型和N型半导体层构成，器件结构与普通晶闸管几乎没有区别。在分析中，GTO也被认为是晶体管的耦合对（一个PNP，另一个NPN配置），与普通晶闸管相同。GTO的三个终端分别称为“阳极”、“阴极”和“栅极”。
在操作中，当向栅极提供脉冲时，晶闸管起传导作用。它有三种工作模式，称为“反向闭锁模式”、“正向闭锁模式”和“正向传导模式”。一旦用脉冲触发栅极，晶闸管将进入“正向导通模式”，并保持导通，直到正向电流小于阈值“保持电流”。
除了正常晶闸管的特性外，GTO的“关闭”状态也可以通过负脉冲进行控制。在正常晶闸管中，“关”功能自动发生。
gto是功率器件，主要用于交流应用。
绝缘栅双极晶体管
IGBT是一种半导体器件，有三个终端，分别被称为“发射极”、“集电极”和“栅极”。它是一种晶体管，可以处理更大的功率，具有更高的开关速度，使其效率更高。IGBT于20世纪80年代被引入市场。
IGBT兼有MOSFET和双极结晶体管（BJT）的优点。BJTs和电压驱动的MOSFET很像。因此，它具有高电流处理能力和易于控制的优点。IGBT模块（由许多设备组成）处理千瓦的功率。
| IGBT和GTO有什么区别？1IGBT的三个终端分别是发射极、集电极和栅极，而GTO有阳极、阴极和栅极。GTO的栅极只需要一个脉冲进行开关，而IGBT则需要连续的栅极电压供应。IGBT是晶体管的一种，GTO是晶闸管的一种，在分析中可以看作是一对紧密耦合的晶体管。IGBT只有一个PN结，GTO有三个PN结。这两种器件都用于大功率应用。GTO需要外部器件来控制开关脉冲，而IGBT则不需要。 |
