主要区别——NMO与PMO

NMOS和PMOS是两种不同类型的mosfet。NMOS和PMOS的主要区别在于，在NMOS中，源极和漏极端子由n型半导体构成，而在PMOS中，源极和漏极由p型半导体构成。

什么是mosfet(mosfet)？

MOSFET是一种用于电子学的单极晶体管。MOSFET代表“金属氧化物半导体场效应晶体管”。本质上，在MOSFET中，从一个端子到另一个端子（源极和漏极）的电流由施加在“栅极”端子上的电压决定。电流在称为“大体积”区域的区域内流动。本文解释了MOSFET的工作原理。根据构成不同终端的半导体类型，mosfet分为NMOS和PMOS。

什么是nmos公司(nmos)？

在NMOS器件中，源极和漏极由n型半导体制成，而体部由p型半导体制成。当栅极被给予正电压时，两个n型区之间的空穴被排斥，允许电子在源极和漏极之间流动。下图显示了MOSFET的结构。

The structure of an NMOS MOSFET

NMOS器件中的大多数载流子是电子，它们的流动速度比空穴快得多。结果，NMOS晶体管比相应的PMOS器件小。因此，NMO的生产成本也比PMO低。由于电子比空穴快，nmos在快速开关应用中也更有用。例如，NMOS曾被用于逻辑门，尽管现在它们基本上已被包含NMOS和PMOS的组合的“cmos”所取代。

MOSFET中的大多数污染物都带正电。这给NMOS带来了一个缺点，因为这些污染物在栅极周围的累积可能会在NMOS设备应该关闭时打开它。

什么是项目办(pmos)？

在PMOS器件中，源极和漏极是由p型材料制成的，而体是由n型半导体制成的。当对栅极施加负电压时，电子被排斥，因此空穴能够形成通道并在源极和漏极之间移动。在PMOS中，大多数载流子是空穴。空穴的流动速度比电子慢得多，因此更容易控制电流。

nmos公司(nmos)和项目办(pmos)的区别

**：

在NMOS中，源极和漏极由n型半导体构成，而体部由p型半导体构成。

在PMOS中，源极和漏极是由p型半导体制成的，而主体是由n型半导体制成的。

大多数运营商：

在NMOS中，大多数载流子是电子。

在PMOS中，大多数载流子是空穴。

尺寸：

与具有互补导电特性的PMOS器件相比，NMOS器件相对较小。

运行速度：

与PMOS设备相比，NMOS设备的切换速度更快。

Image Courtesy:

“MOSFET structure” by Brews ohare (Own work) [CC BY-SA 3.0], via Wikimedia Comm***