什么是mos晶体管？(a mos transistor?)
金属氧化物半导体（MOS）晶体管是大多数现代数字存储器、处理器和逻辑芯片的组成部分。它也是许多模拟和混合信号集成电路中的常见元件。这些晶体管存在于从手机、电脑到数字控制冰箱和电子医疗设备的各种电子设备中。MOS晶体管用途广泛，可以用作开关、放大器或电阻器。它也被称为一种特殊类型的场效应晶体管（FET），称为绝缘栅（IGFET）或MOS（MOSFET）。场效应是指晶体管栅极电荷产生的电场 .
MOS晶体管是在半导体晶体衬底上制造的，通常由硅制成。基板顶部有一层薄的绝缘层，通常由二氧化硅制成。该层上方是栅极，通常由金属或多晶硅制成。栅极一侧的晶体区域称为源极，而另一侧称为漏极。源极和漏极通常“掺杂”相同类型的硅；栅极下方的沟道“掺杂”了相反的类型。这形成了一种类似于标准NPN或PNP晶体管的结构 .
MOS晶体管通常制造为PMOS或NMOS晶体管。PMOS晶体管具有由p型硅制成的源极和漏极；闸门下方的通道为n型。当向栅极施加负电压时，晶体管接通。这允许电流在源极和漏极之间流动。当向栅极施加正电压时，它关闭。
NMOS晶体管则相反：具有n型源极和漏极的p型沟道。当在NMOS晶体管的栅极上施加负电压时，它关闭；正电压使它接通。NMOS比PMO的一个优势是开关速度——NMOS通常更快。
许多集成电路使用互补MOS（CMOS）逻辑门。CMOS栅极由两种连接在一起的晶体管组成：一个NMO和一个PMO。在功耗非常关键的地方，这些门经常受到青睐。在晶体管从一种状态切换到另一种状态之前，它们通常不使用电源
耗尽型MOSFET是一种特殊类型的MOS晶体管，可用作电阻器。其栅极区域在二氧化硅绝缘体和衬底之间具有额外的层。该层“掺杂”了与漏区和源区相同类型的硅。当栅极处没有电荷时，该层传导电流。电阻由晶体管产生时的大小决定。栅极电荷的存在会关闭这种类型的MOS晶体管 .
像大多数其他晶体管一样，MOS晶体管可以放大信号。源极和漏极之间流动的电流量随栅极信号而变化。一些MOS晶体管被构造并单独封装以处理大电流。这些可用于开关电源、大功率放大器、线圈驱动器和其他模拟或混合信号应用。大多数MOS晶体管用于低功耗、低电流的数字电路中。这些部件通常与其他部件一起包含在芯片内，而不是单独存在。。
- 发表于 2021-12-30 10:08
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