什么是mosfet晶体管？(a mosfet transistor?)
MOSFET晶体管是一种半导体器件，用于在电子器件中切换或放大信号。MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。名称可以写为MOSFET、MOSFET或MOS-FET；术语MOSFET晶体管是常用的，尽管它是冗余的。MOSFET晶体管的用途是通过使用少量的电来影响大量的电流，从而影响通过器件的电荷流。MOSFET是现代电子技术中最常用的晶体管。
MOSFET晶体管在现代生活中无处不在，因为它是集成电路中最常用的晶体管类型，几乎所有现代计算机和电子设备的基础。MOSFET晶体管由于其低功耗和损耗、低废热和低批量生产成本而非常适合此角色。现代集成电路可以包含数十亿个MOSFET。MOSFET晶体管出现在从手机、数字手表到用于气候学、天文学和粒子物理等领域复杂科学计算的巨型超级计算机等设备中。
MOSFET有四个半导体端子，称为源极、栅极、漏极和体。源极和漏极位于晶体管主体中，而栅极位于这三个端子之上，位于源极和漏极之间。栅极通过一层薄薄的绝缘层与其他端子隔开。
MOSFET可以设计成使用带负电荷的电子或带正电荷的电子空穴作为电荷载体。源极、栅极和漏极端子设计为具有过量的电子或电子空穴，从而使每个端子具有负极性或正极性。源极和漏极总是相同的极性，而栅极总是源极和漏极相反的极性。
当主体和栅极之间的电压增加且栅极接收电荷时，相同电荷的电荷载体从栅极区域排斥，形成所谓的耗尽区。如果该区域变得足够大，它将在绝缘层和半导体层的界面上形成所谓的反转层，从而提供一个通道，使栅极极相反的电荷载流子可以容易地流动。这使得大量的电力从电源流向排水管。像所有场效应晶体管一样，每个单独的MOSFET晶体管只使用正负电荷载流子。
MOSFET晶体管主要由硅或硅锗合金制成。半导体终端的特性可以通过添加硼、磷或砷等物质的少量杂质来改变，这一过程称为掺杂。栅极通常由多晶硅制成，尽管一些MOSFET的栅极由多晶硅与钛、钨或镍等金属合金制成。极小的晶体管使用钨、钽或氮化钛等金属制成的栅极。绝缘层通常由二氧化硅（SO2）制成，但也使用其他氧化物。
- 发表于 2021-12-11 08:35
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- 分类：科学
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