两者都是压控场效应晶体管（FET），主要用于放大微弱信号，主要是无线信号。它们是可以放大模拟和数字信号的单极装置。场效应晶体管（FET）是一种利用电场效应改变器件电性能的晶体管。它们被用于从射频技术到开关、功率控制到放大的电子电路中。它们利用电场来控制通道的导电性。场效应晶体管分为结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。两者主要用于集成电路，工作原理十分相似，但组成略有不同。让我们详细比较一下这两者。

什么是jfet公司(jfet)？

JFET是一种最简单的场效应晶体管，电流可以从源极到漏极或漏极到源极。与双极结晶体管（BJT）不同，JFET使用施加在栅极端子上的电压来控制流过漏极和源极端子之间沟道的电流，从而使输出电流与输入电压成比例。栅极端子是反向偏置的。它是一种三端单极性半导体器件，用于电子开关、电阻器和放大器。它预期输入和输出之间的高隔离度，这使得它比双极结晶体管更稳定。与BJT不同，允许的电流量由JFET中的电压信号决定。

一般分为两种基本配置：

• N沟道JFET–流过漏极和源极之间沟道的电流以电子形式为负。它的电阻比P-通道型低。
• P沟道JFET–流过沟道的电流以空穴的形式为正。它的电阻比它的N通道对应物高。

什么是mosfet(mosfet)？

MOSFET是一种四端半导体场效应晶体管，由可控硅氧化制成，外加电压决定器件的导电性。MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管。位于源极和漏极沟道之间的栅极通过一薄层金属氧化物与沟道电绝缘。其思想是控制源极和漏极通道之间的电压和电流。mosfet因其高输入阻抗在集成电路中起着重要的作用。它们主要用于功率放大器和开关中，作为功能元件在嵌入式系统设计中起着关键作用。

它们通常分为两种配置：

• 耗尽型MOSFET–当栅极到源极电压为零时，器件通常“开启”。应用电压低于漏极到源极电压
• 增强型MOSFET–当栅极到源极电压为零时，器件通常处于“关闭”状态。

jfet与mosfet的区别

场效应管和mosfet基础

JFET和MOSFET都是电压控制晶体管，用于放大模拟和数字的微弱信号。两者都是单极器件，但组成不同。JFET代表结场效应晶体管，MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。前者是三端半导体器件，后者是四端半导体器件。

fet和mosfet的工作模式

与双极结晶体管（bjt）相比，两者的跨导值都较小。JFET只能在耗尽模式下工作，而MOSFET可以在耗尽模式和增强模式下工作。

fet和mosfet的输入阻抗

JFET具有1010欧姆左右的高输入阻抗，这使得它们对输入电压信号非常敏感。由于金属氧化物绝缘体的存在，MOSFET比JFET提供更高的输入阻抗，这使得它们在栅极端的电阻更大。

栅漏电流

它指的是电子设备即使在关闭时也会逐渐失去电能。JFET允许栅漏电流为10^-9 A，而MOSFET的栅漏电流为10^-12 A。

fet和mosfet中的损伤电阻

MOSFET更容易受到静电放电的损坏，因为附加的金属氧化物绝缘体降低了栅极的电容，使得晶体管容易受到高压损坏。另一方面，JFET不太容易受到ESD损坏，因为它们提供比MOSFET更高的输入电容。

场效应管和mosfet的成本

JFET遵循一个简单的，不太复杂的**工艺，这使得它们比MOSFET相对便宜，因为MOSFET的**工艺更复杂，所以价格昂贵。额外的金属氧化物层增加了一点总成本。

fet和mosfet的应用

JFET是低噪声应用的理想选择，如电子开关、缓冲放大器等。另一方面，MOSFET主要用于高噪声应用，如开关和放大模拟或数字信号，此外，它们还用于电机控制应用和嵌入式系统。

jfet与mosfet的比较图

总结 - 场效应晶体管(of fet) vs. mosfet(mosfet)

JFET和MOSFET是电子电路中最常用的两种场效应晶体管。JFET和MOSFET都是压控半导体器件，用于利用电场效应放大微弱信号。名称本身暗示设备的属性。虽然它们有着与放大和转换相对应的共同属性，但它们也有各自的差异。JFET只在耗尽模式下工作，而MOSFET同时在耗尽模式和增强模式下工作。mosfet由于其昂贵的**工艺而被用于VLSI电路中，而jfet则主要用于小信号应用。