场效应晶体管（JFET）或场效应晶体管（Field effect）是一种电子器件，既可以用作放大器，也可以用作开关，已经成为存储芯片的一个组成部分。JFET和MOSFET是两种根据结型晶体管原理工作的FET，但它们有很大的不同。

jfet公司(jfet) vs. mosfet(mosfet)

JFET和MOSTFET的区别在于，通过JFET的电流是通过反向偏置PN结的电场传导的，而在MOSFET中，导电性是由于嵌入半导体的金属氧化物绝缘体中的横向电场。

两者之间的下一个关键区别是JFET比MOSFET允许更小的输入阻抗，因为后者嵌入了绝缘体，允许更小的电流泄漏。

JFET通常被称为“开器件”是一种具有低漏阻的耗尽型工具，而它的后继MOSFET通常被称为“关器件”，它可以在耗尽模式和增强模式下工作，并且具有高漏阻。

jfet与mosfet对比表（表格形式）

什么是jfet公司(jfet)？

JFET是结栅场效应晶体管的缩写，它是一种单极**件，基本上由源极、漏极和栅极三部分组成。它主要用于放大器、电阻器和开关。

它是一种基本类型的场效应管，工作时，一个小的电压是适用于栅终端。这个小电压允许电流从源极流向漏极，甚至更远。

施加在栅极（VGS）上的电压控制耗尽区的宽度，从而控制流过半导体的电流量。因此，流过通道的漏极电流与外加电压成正比。

随着栅极端子上的负电压增加，耗尽区变宽，较小的电流流过沟道，最后到达耗尽区完全停止电流流动的阶段。

JFET又分为N沟道JFET和P沟道JFET，N沟道连接漏源极的沟道中掺杂了大量的电子，P沟道中空穴较多

什么是mosfet(mosfet)？

MOSFET或金属氧化物半导体FET是FET的一种高级结构，它由四个部分来实现其功能。它们广泛应用于计算机存储芯片中，例如用于存储位的金属氧化物半导体存储单元中。

虽然MOSFET遵循FET的基本原理，但它的设计更为复杂，效率也更高。MOSFET也是一种单极**件，它在耗尽和增强模式下工作以放大信号。

所有类型的MOSFET都有一个金属氧化物绝缘体，将衬底和栅极隔开。当在栅极端子上施加电压时，由于静电力，在漏极和源极之间形成允许电流的沟道。

D-MOSFET在耗尽模式下工作，在耗尽模式下存在一个预先构建的沟道，并且该沟道在施加电压时关闭，而在增强模式下工作的E-MOSFET需要一个电势来创建一个用于电流流动的沟道。MOSFET是一种更先进的FET，用于增加漏极电阻和应用无限输入阻抗，同时降低漏电流。然而，由于金属氧化物绝缘体的腐蚀风险，MOSFET需要良好的维护。

Main Differences between jfet和mosfet

• jfet公司和mosfet的主要区别在于jfet公司中的电流是由零件号结中的电场产生的，而mosfet中的电流是由金属氧化物层中的横向电场产生的。
• 下一个关键的区别是jfet公司具有较低的输入阻抗，而mosfet实际上具有无限阻抗，因为栅极和衬底之间没有直接接触。
• 另一个显著的区别是jfet公司具有较低的漏极电阻，而mosfet具有较高的漏极电阻。
• jfet公司也有较高的漏电流，但mosfet更有效，漏电流更低。
• 虽然jfet公司比mosfet更难组装，但它的成本比后者低。

结论

JFET及其后继MOSFET都被广泛用作放大器和开关在各个领域的应用。然而，MOSFET已经成为计算机存储芯片中更具竞争力的晶体管。

两者的主要区别在于JFET在PN结中使用电场，而MOSFET在嵌入的金属氧化物层中使用横向电场来通过衬底导电。

另一个关键的区别是JFET没有MOSFET所具有的金属氧化物层作为绝缘层，因此命名为金属氧化物半导体场效应晶体管或MOSFET。

JFET是FET最基本的形式，而MOSFET被设计成效率更高，漏电流更小。这是通过在栅极端子和衬底之间加入金属氧化物阻挡层来实现的。

虽然JFET和MOSFET属于同一个晶体管家族，但是JFET与它的同类MOSFET有很大的不同，后者的漏极电阻和阻抗都比JFET高得多。

JFET和MOSFET之间的差异导致了它们在不同的应用领域，例如JFET更多地用于放大器、整流器和开关，而MOSFET由于其高水平的效率而被集成到计算机存储芯片中。

参考文献

• https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/4347805/
• https://www.hpe.ee.ethz.ch/uploads/tx_ethpublicati***/06365336.pdf