晶体管是一种半导体器件,用于放大或切换电子信号和电力。晶体管是现代电子学的基本组成部分之一。它由半导体材料组成,通常至少有三个端子用于连接外部电路。施加在晶体管一对端子上的电压或电流控制通过另一对端子的电流。由于可控输入功率,晶体管可以放大信号。
晶闸管是一种四层三结半导体开关器件。它有阳极、阴极和栅极三个端子。晶闸管也是一个像二极管一样的单向器件,这意味着它只在一个方向上流动电流。它由三个串联的PN结组成,就像四层一样。
晶闸管仅起到双稳态开关的作用,当栅极接收到电流触发时导通,并继续传导电压,直到器件反向偏置或直到电压消除(通过其他方式)。有两种设计,触发导电状态的方式不同。在三引线晶闸管中,栅极引线上的小电流控制阳极到阴极路径的大电流。在双引线晶闸管中,当阳极和阴极之间的电位差足够大(击穿电压)时,导通开始。
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比较基础 | 晶体管 | 晶闸管 |
描述 | 晶体管是一种三层半导体器件,主要用于放大和开关。 | 晶闸管是一种用于整流和开关的四层半导体器件。 |
终端 | 发射机由三个终端组成,即发射极、基极和集电极。 | 晶闸管由三个端子组成,即阳极、阴极和栅极端子。 |
额定功率 | 晶体管的额定功率总是以瓦特为单位,因为晶体管只能承受很小的输出功率。 | 晶闸管具有比晶体管更好的大功率管理能力,因此其额定功率为千瓦。 |
适合 | 晶体管适用于高频应用,但不适用于大功率应用。 | 晶闸管适用于大功率应用,但不适用于高频应用。 |
换向电路 | 晶体管电路不需要换向电路。 | 晶闸管电路需要换流电路。 |
半导体材料层 | 晶体管由三层半导体材料组成,即P型和N型材料(npn或pnp)。 | 晶闸管由4层半导体材料组成,其中P型材料和N型材料以pnpn的交替方式连接。 |
对系统成本的影响 | 当功率晶体管用于电子电路时,它降低了系统的总体成本。 | 当功率晶体管用于电子电路时,它降低了系统的总体成本。 |
浪涌电流容量 | 晶体管不表现出浪涌电流电容特性,因此能够处理仅有的小电流变化率。 | 晶闸管具有浪涌电流特性,因此能够承受比晶体管更高的电流变化率。 |
开机时间 | 晶体管导通快,因此其导通时间比晶闸管快。 | 晶闸管的导通速度不快,因此其导通时间比晶体管的导通时间短 |
内耗 | 晶体管的内部功率损耗比晶闸管高。 | 与晶体管相比,晶闸管的内部功率损耗相对较低。 |
笨重 | 晶体管电路比晶体管电路体积小。 | 晶闸管电路比晶体管电路体积大。 |
电压&电流;电流额定值 | 与晶闸管相比,晶体管的电压和电流额定值较低。 | 由于其制造和设计结构,晶闸管的电压和电流额定值较高。 |
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