砷化镓允许热激光器冷却半导体
哥本哈根大学尼尔斯玻尔研究所的研究人员成功地利用激光的加热作用来主动冷却半导体。这种现象是通过使用一种特殊的砷化镓（GaAs）半导体膜和反射镜来产生一个光学谐振腔来实现的。当激光射向薄膜时，大部分激光会反弹，被反射镜反射回来，然后在反射镜和GaAs表面之间发生共振。
然后奇迹就发生了。有时膜中的一个原子会吸收一个光子，产生热量和一点点膨胀。膜的运动，半导体的特性，以及共振频率以一种奇异而奇妙的方式相互作用，抵消了热产生的分子运动，最终将材料冷却到零下269摄氏度。尽管仍处于实验阶段，这项技术可用于冷却超灵敏传感器中的电气元件，在超灵敏传感器中，热能（尽管很小）产生的噪声比检测到的信号还要大。实验结果发表在2012年1月出版的《自然物理学》上。
- 发表于 2021-04-21 04:17
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