砷化鎵允許熱鐳射器冷卻半導體
哥本哈根大學尼爾斯玻爾研究所的研究人員成功地利用鐳射的加熱作用來主動冷卻半導體。這種現象是透過使用一種特殊的砷化鎵（GaAs）半導體膜和反射鏡來產生一個光學諧振腔來實現的。當鐳射射向薄膜時，大部分鐳射會反彈，被反射鏡反射回來，然後在反射鏡和GaAs錶面之間發生共振。
然後奇跡就發生了。有時膜中的一個原子會吸收一個光子，產生熱量和一點點膨脹。膜的運動，半導體的特性，以及共振頻率以一種奇異而奇妙的方式相互作用，抵消了熱產生的分子運動，最終將材料冷卻到零下269攝氏度。儘管仍處於實驗階段，這項技術可用於冷卻超靈敏感測器中的電氣元件，在超靈敏感測器中，熱能（儘管很小）產生的噪聲比檢測到的訊號還要大。實驗結果發表在2012年1月出版的《自然物理學》上。
- 發表於 2021-04-21 04:17
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