MOSFET與BJT
晶體管是一種電子半導體器件，它能在小輸入信號的微小變化下提供大幅度變化的電輸出信號。由於這種特性，該器件可以用作放大器或開關。晶體管於20世紀50年代問世，從對晶體管的貢獻來看，它是20世紀最重要的發明之一。它是一種快速發展的器件，已經引入了許多類型的晶體管。雙極結晶體管（BJT）是第一種晶體管類型，而金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是後來引進的另一種晶體管類型。
雙極結晶體管
BJT由兩個PN結（p型半導體和n型半導體連接而成的結）組成。這兩個結是通過按P-N-P或N-P-N的順序連接三個半導體片而形成的，因此有兩種類型的bjt被稱為PNP和NPN。
三個電極連接在這三個半導體部件上，中間的引線稱為“基極”。另外兩個連接點是“發射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集電極發射極（Ic）電流是由小的基極發射極電流（IB）控制的，利用這一特性設計放大器或開關。因此，可以認為它是一種電流驅動裝置。BJT主要用於放大電路。
金屬氧化物半導體場效應晶體管
MOSFET是場效應晶體管（FET）的一種，它由三個端子組成，分別被稱為“柵極”、“源極”和“漏極”。這裡，漏極電流由柵極電壓控制。因此，mosfet是電壓控制器件。
mosfet有四種不同的類型，如n溝道或p溝道，具有耗盡或增強模式。n溝道mosfet和p溝道器件的漏源和源均由n型半導體制成。柵極是由金屬製成的，用金屬氧化物和源極和漏極分開。這是MOSFET的一個優點，它的絕緣功耗很低。因此，MOSFET被用於數字CMOS邏輯中，其中p溝道和n溝道MOSFET被用作積木來最小化功耗。
儘管MOSFET的概念很早就被提出（1925年），但它實際上是在1959年在貝爾實驗室實現的。
| BJT vs MOSFET1。BJT基本上是電流驅動器件，MOSFET被認為是電壓控制器件。BJT的終端被稱為發射極、集電極和基極，而MOSFET則由柵極、源極和漏極組成。在大多數新的應用中，mosfet比BJTs使用得多。與BJT5相比，MOSFET具有更復雜的結構。MOSFET在功耗方面比BJTs更有效，因此被用於CMOS邏輯。 |
