NPN和PNP是兩種型別的電晶體。電晶體是半導體器件,由摻雜的p型和n型結構成。NPN和PNP電晶體的主要區別在於,在NPN電晶體中,p型半導體夾在兩個n型半導體之間,而在PNP電晶體中,n型半導體夾在兩個p型半導體之間。
NPN電晶體的結構如下所示:
An NPN BJT transistor
三個端子連線到每個摻雜半導體。上圖中間的端子稱為基座(B)。左邊的端子形成發射器(E),右邊的端子形成收集器(C)。
在NPN電晶體中,基極連線到負電勢,而集電極連線到正電勢,使得基極-集電極結在大的反向偏置下連線。發射極和集電極以正向偏壓連線。這使得電子從發射極流向基極。這是一個大的通量,電子穿過整個基極進入收集器。
NPN電晶體的電路符號如下所示:
A circuit symbol of an NPN transistor
PNP電晶體的工作原理與NPN電晶體相同,因此PNP電晶體的特性大多與NPN電晶體的特性相反。
例如,基極相對於集電極連線到正極端子,使得基極-集電極結是反向偏置的。因此,孔不能從收集器流入底座。基極-發射極結以正向偏壓連線;因此,孔可以從發射器進入基座。它們湧入基地,設法穿過基地和收集器之間的耗盡區,進入收集器。
NPN和PNP電晶體之間的一個根本區別是PNP電晶體中的大多數載流子是空穴。空穴的傳輸速度比電子慢一些,所以PNP電晶體的開關時間比NPN電晶體慢。
A PNP transistor
PNP電晶體的電路符號如下所示:
Circuit symbol of a PNP transistor
下圖顯示了雙極結電晶體的外觀:
A transistor
在大多數情況下,僅僅透過觀察NPN和PNP電晶體是不可能區分它們的。它們可以連線到萬用表上,透過觀察電晶體在哪個極性下傳導電流,就可以確定這兩種型別。
NPN電晶體由夾在兩個n型半導體之間的p型半導體組成。
PNP電晶體由夾在兩個p型半導體之間的n型半導體組成。
NPN電晶體中的大多數載流子是電子。
PNP電晶體中的大多數載流子是空穴。
與PNP電晶體相比,NPN電晶體具有更快的開關時間。
Image Courtesy:
“The basic operation of an NPN BJT in Active mode” by Inductiveload (Own drawing, done in Inkscape) [Public Domain], via Wikimedia Comm***
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“PNP BJT的結構圖,顯示集電極-發射極電壓…”由InspictiveLoad(基於File:Pnp-structure.png,由User:Heron at 英文維基百科[CC BY-SA 3.0],透過維基百科共享
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Windell Oskay的“電晶體、電阻器”(自己的作品)[CC by-SA 2.0],透過flickr(修改)
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