北京捷運(bjt)和場效應電晶體(fet)的區別

BJT(雙極結電晶體)和FET(場效應電晶體)是兩種不同型別的電晶體。電晶體是半導體器件,可用作電子電路中的放大器或開關。BJT和FET的主要區別在於BJT是一種雙極型電晶體,在這種電晶體中,電流既包含多數載流子,也包含少數載流子。相反,場效應電晶體是一種單極電晶體,其中只有大多數載流子流動。...

主要區別–bjt與fet

BJT(雙極結電晶體)和FET(場效應電晶體)是兩種不同型別的電晶體。電晶體是半導體器件,可用作電子電路中的放大器或開關。BJT和FET的主要區別在於BJT是一種雙極型電晶體,在這種電晶體中,電流既包含多數載流子,也包含少數載流子。相反,場效應電晶體是一種單極電晶體,其中只有大多數載流子流動。

什麼是北京捷運(bjt)?

BJT由兩個p-n結組成。根據結構的不同,bjt可分為npn型和pnp型。在npn雙極電晶體中,一小塊輕摻雜的p型半導體夾在兩塊重摻雜的n型半導體之間。相反,pnp BJT是透過將n型半導體夾在p型半導體之間而形成的。讓我們看看npn BJT是如何工作的。

BJT的結構如下所示。其中一種n型半導體稱為發射極(用E標記),而另一種n型半導體稱為集電極(用C標記)。p型區域稱為基底(用B標記)。

Difference Between BJT and FET - an_npn_BJT

The structure of an npn公司 BJT

在基極和集電極之間反向偏壓連線一個大電壓。這導致在基極-集電極結上形成一個大的耗盡區,並形成一個強大的電場,阻止來自基極的空穴流入集電極。現在,如果發射極和基極以正向偏壓連線,電子可以很容易地從發射極流向基極。一旦到了那裡,一些電子與基極上的空穴重新結合,但由於穿過基極-集電極結的強電場吸引了電子,大多數電子最終湧入集電極,產生了大電流。由於透過集電極的(大)電流可以由透過發射極的(小)電流控制,所以BJT可以用作放大器。此外,如果基極-發射極結上的電位差不夠強,電子就不能進入集電極,因此電流就不會流過集電極。由於這個原因,BJT也可以用作開關。

pnp結的工作原理相似,但在這種情況下,基底是由n型材料製成的,大多數載流子是空穴。

什麼是場效應電晶體(fet)?

場效應電晶體主要有兩種型別:結型場效應電晶體(JFET)和金氧半導體場效應電晶體(MOSFET)。它們有相似的工作原理,儘管也有一些不同之處。如今,MOSFET比JFET更常用。本文解釋了MOSFET的工作方式,所以在這裡,我們將重點介紹JFET的操作。

就像bjt有npn和pnp兩種型別,jfet也有n溝道和p溝道型別。為瞭解釋JFET的工作原理,我們將研究p溝道JFET:

Difference Between BJT and FET - a_p-channel_JFET

A schematic of a p-channel JFET

在這種情況下,“孔”從源端(標有S)流向漏端(標有D)。柵極以反向偏壓連線到電壓源,以便在柵極和電荷流動的溝道區域形成耗盡層。當柵極上的反向電壓增加時,耗盡層增長。如果反向電壓變得足夠大,那麼耗盡層會變得非常大,以至於它可以“掐斷”並阻止電流從源極流向漏極。因此,透過改變柵極處的電壓,可以控制從源極到漏極的電流。

bjt與fet之差

雙極的(bipolar) vs. 單極的(unipolar)

bjt是一種雙極**件,在雙極**件中同時存在多數載流子和少數載流子。

場效應電晶體是單極**件,其中只有大多數載流子流動。

控制

bjt是電流控制器件。

場效應電晶體是電壓控制器件。

使用

在現代電子技術中,場效應電晶體比雙極電晶體更常用。

電晶體端子

BJT的終端稱為發射極、基極和集電極

場效應電晶體的終端稱為源極、晶粒和柵極。

阻抗

與bjt相比,fet具有更高的輸入阻抗。因此,場效應電晶體產生更大的增益。

 

Image Courtesy:

“The basic operation of an NPN BJT in Active mode” by Inductiveload (Own drawing, done in Inkscape) [Public Domain], via Wikimedia Comm***

“這張結柵場效應電晶體(JFET)的示意圖…”作者:Rparle at en.*********(由User:Wdwd using CommonHelper)[CC BY-SA 3.0],透過Wikimedia Comm***

  • 發表於 2021-06-27 07:25
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