BJTとIGBT

電流を制御するためのトランジスタには、BJT（バイポーラ接合型トランジスタ）とIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）がある。両デバイスともPN接合を持ち、デバイスの構造も異なる。どちらもトランジスタでありながら、その特性には大きな違いがある。

バイポーラ接合型トランジスター

BJTは、2つのPN接合（p型半導体とn型半導体を接合した接合部）で構成されたトランジスタである。この2つの接合は、3枚の半導体シートをP-N-PまたはN-P-Nの順に接続して形成されるため、PNPとNPNの2種類のbjtが存在するのである。

3つの電極が接続された半導体部品で、真ん中のリードを「ベース」、残りの2つの接続を「エミッター」と「コレクター」と呼びます。

BJTでは、大きなコレクタエミッタ電流（Ic）を小さなベースエミッタ電流（IB）で制御し、この特徴を利用して増幅器やスイッチの設計が行われる。BJTは主にアンプ回路に使用されます。

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

IGBTは、「エミッタ」「コレクタ」「ゲート」と呼ばれる3つの端子を持つ半導体デバイスである。IGBTは1980年代に登場したトランジスタで、より多くの電力を扱うことができ、スイッチング速度も速く、効率的である。

IGBTは、MOSFETとバイポーラ接合型トランジスタ（BJT）の両方の長所を併せ持っている。MOSFETのようにゲートで駆動し、BJTと同様の電流-電圧特性を持っています。IGBTモジュール（多数のデバイスで構成）は、数キロワットの電力を扱います。