BJT與IGBT
BJT（雙極結晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是兩種用於控制電流的晶體管。兩種器件都有PN結，器件結構不同。雖然兩者都是晶體管，但它們在特性上有顯著的差異。
雙極結晶體管
BJT是一種由兩個PN結（p型半導體和n型半導體連接而成的結）組成的晶體管。這兩個結是通過按P-N-P或N-P-N的順序連接三個半導體片而形成的，因此有兩種類型的bjt，即PNP和NPN。
三個電極連接在這三個半導體部件上，中間的引線稱為“基極”。另外兩個連接點是“發射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集電極發射極（Ic）電流由小的基極發射極電流（IB）控制，利用這一特性設計放大器或開關。因此，可以認為它是一種電流驅動裝置。BJT主要用於放大電路。
絕緣柵雙極晶體管
IGBT是一種半導體器件，有三個終端，分別被稱為“發射極”、“集電極”和“柵極”。它是一種晶體管，可以處理更大的功率，具有更高的開關速度，使其效率更高。IGBT於20世紀80年代被引入市場。
IGBT兼有MOSFET和雙極結晶體管（BJT）的優點。它像MOSFET一樣由柵極驅動，並且具有類似BJTs的電流-電壓特性。因此，它既具有高電流處理能力，又易於控制的優點。IGBT模塊（由許多設備組成）處理千瓦的功率。
| BJT和IGBT1之間的差異。BJT是電流驅動器件，而IGBT是由柵極電壓驅動的。IGBT的終端稱為發射極、集電極和柵極，而BJT由發射極、集電極和基極組成。IGBT在功率處理方面比BJT4好。IGBT可以看作是BJT和FET（場效應晶體管）的組合。與BJT6相比，IGBT具有複雜的器件結構。與IGBT相比，BJT有著悠久的歷史 |
