BJT与IGBT
BJT（双极结晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）是两种用于控制电流的晶体管。两种器件都有PN结，器件结构不同。虽然两者都是晶体管，但它们在特性上有显著的差异。
双极结晶体管
BJT是一种由两个PN结（p型半导体和n型半导体连接而成的结）组成的晶体管。这两个结是通过按P-N-P或N-P-N的顺序连接三个半导体片而形成的，因此有两种类型的bjt，即PNP和NPN。
三个电极连接在这三个半导体部件上，中间的引线称为“基极”。另外两个连接点是“发射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集电极发射极（Ic）电流由小的基极发射极电流（IB）控制，利用这一特性设计放大器或开关。因此，可以认为它是一种电流驱动装置。BJT主要用于放大电路。
绝缘栅双极晶体管
IGBT是一种半导体器件，有三个终端，分别被称为“发射极”、“集电极”和“栅极”。它是一种晶体管，可以处理更大的功率，具有更高的开关速度，使其效率更高。IGBT于20世纪80年代被引入市场。
IGBT兼有MOSFET和双极结晶体管（BJT）的优点。它像MOSFET一样由栅极驱动，并且具有类似BJTs的电流-电压特性。因此，它既具有高电流处理能力，又易于控制的优点。IGBT模块（由许多设备组成）处理千瓦的功率。
| BJT和IGBT1之间的差异。BJT是电流驱动器件，而IGBT是由栅极电压驱动的。IGBT的终端称为发射极、集电极和栅极，而BJT由发射极、集电极和基极组成。IGBT在功率处理方面比BJT4好。IGBT可以看作是BJT和FET（场效应晶体管）的组合。与BJT6相比，IGBT具有复杂的器件结构。与IGBT相比，BJT有着悠久的历史 |
