什么是晶体管特性？(transistor characteristics?)

晶体管是电子设备中控制和放大设备中电流的元件，被认为是现代电子技术发展中最重要的发明之一。影响晶体管工作方式的重要晶体管特性包括晶体管的增益、结构和极性以及结构材料。根据晶体管的用途，晶体管的特性可以有很大的不同。...

A transistor amplifies electrical current.

晶体管是电子设备中控制和放大设备中电流的元件，被认为是现代电子技术发展中最重要的发明之一。影响晶体管工作方式的重要晶体管特性包括晶体管的增益、结构和极性以及结构材料。根据晶体管的用途，晶体管的特性可以有很大的不同。

Each semiconductor terminal in a transistor can have positive or negative polarity, depending on what substances the transistor's main semiconducting material has been doped with.

晶体管很有用，因为它们可以使用少量的电作为信号来控制大量的电流。晶体管的这种能力被称为晶体管的增益，其测量值为晶体管产生的输出与产生该输出所需的输入的比率。相对于输入，输出越高，增益越高。这个比率可以用电的功率、电压或电流来衡量。增益随着工作频率的升高而降低。。

晶体管特性随晶体管的组成而变化。常见的材料包括半导体硅、锗和砷化镓（GaAs）。砷化镓通常用于高频晶体管，因为其电子迁移率（电子在半导体材料中移动的速度）更高。它还可以在硅或锗晶体管中安全地在较高温度下工作。与其他晶体管材料相比，硅的电子迁移率较低，但通常使用硅，因为硅价格便宜，并且可以在比锗更高的温度下工作。。

晶体管最重要的特性之一是晶体管的设计。双极结晶体管（BJT）有三个端子，分别称为基极、集电极和发射极，基极位于集电极和发射极之间。少量的电从基极移动到发射极，电压的微小变化导致发射极和集电极层之间的电流发生更大的变化。BJT被称为双极晶体管，因为它们使用带负电的电子和带正电的电子空穴作为电荷载体。。

在场效应晶体管（FET）中，仅使用一种电荷载体。每个FET都有三个半导体层，分别称为栅极、漏极和源极，分别类似于BJT的基极、集电极和发射极。大多数场效应晶体管也有第四个端子，称为体、体、基或衬底。FET是使用电子还是电子空穴来携带电荷取决于不同半导体层的组成。

晶体管中的每个半导体端子可以具有正极性或负极性，这取决于晶体管的主要半导体材料掺杂了哪些物质。在N型掺杂中，添加了砷或磷的小杂质。掺杂剂的每个原子的外壳中有五个电子。每个硅原子的外壳只有四个电子，因此每个砷原子或磷原子都提供了一个多余的电子，可以在半导体中移动，给它一个负电荷。在P型掺杂中，使用镓或硼，两者的外层都有三个电子。这使得硅原子外壳中的第四个电子没有任何键合，从而产生相应的正电荷载流子，称为电子空穴，电子可以在其中移动。。

晶体管也根据其元件的极性进行分类。在NPN晶体管中，BJT中的中间端子为基极，FET中的栅极为正极，而其两侧的两层为负极。在PNP晶体管中，情况正好相反。

发表于 2021-12-30 10:11
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