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イグビットとモスフェット(MOSFET)の違い

トランジスタには、MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）とIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）があり、いずれもゲートドライブ型である。両デバイスは、半導体層の種類が違うだけで構造は同じ...

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匿名者發佈於 2020-11-02 21:09

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モスフェット(MOSFET)とビージェーティーカンパニー（BJT）の違い

トランジスタは、小さな入力信号の小さな変動で大きな電気出力信号の変動をもたらす電子半導体素子である。この特性により、アンプやスイッチとして使用することができます。1950年代に登場したトランジスタは、その貢献度から20世紀を代表する発明のひとつといえる。急速に発展しているデバイスであり、多くの種類のトランジスタが登場している。トランジスタはバイポーラ接合型トランジスタ（Bjt）が最初で、その後、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）などが登場した...

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匿名者發佈於 2020-11-02 16:42

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株式会社エヌモス (nmos)とプロジェクトオフィスの違い

電界効果トランジスタ（FET）は、電界の印加によって通電容量が変化する電圧制御型のデバイスである。電界効果トランジスタの一種に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）がある。MOSFETは集積回路や高速スイッチングに広く用いられている。MOSFETは酸化膜絶縁ゲート電極に電圧をかけることで動作し、ソースとドレインの間に導電路が形成される。チャネルを流れるキャリアの種類によって、nmosfet（通称nmos）とpmosfet（通称pmos）と呼ばれる2種類のMOSFETに大別される...

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匿名者發佈於 2020-10-23 16:52

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