NMOSとPMO

電界効果トランジスタ（FET）は、電界の印加によって通電容量が変化する電圧制御のデバイスである。電界効果トランジスタの代表的なものに、集積回路や高速スイッチングに広く用いられているMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）がある。MOSFETは、酸化膜絶縁ゲート電極に電圧をかけ、ソースとドレインの間に導電路を作って動作させるものである。チャネルを流れるキャリアの種類によって、nMOSFET（通称：NMOS）とpMOSFET（通称：PMOS）という2種類のMOSFETに大別される。

NMOSとは？

前述の通り、NMOS（nMOSFET）はMOSFETの一種で、nMOSトランジスタはn型のソース・ドレインとp型の基板で構成されている。ゲートに電圧をかけると、ボディ（p型基板）の穴が追い出される。これにより、ソースとドレインの間にn型チャネルが形成され、誘導されたn型チャネルを介してソースからドレインへ電子によって電流が運ばれる。nMOSはカットオフ、3極、飽和と呼ばれる3つの動作モードがあり、設計や**が容易なロジックです。しかし、NMOS論理ゲートを用いた回路では、出力がLowのときに論理ゲートに直流電流が流れるため、回路がアイドル状態のときに静電容量を消費してしまう。

PMOとは？

前述のように、PMOS（pMOSFET）はMOSFETの一種で、pMOSトランジスタはp型のソース・ドレインとn型の基板で構成されている。ソース-ゲート間に正の電圧（ゲート-ソース間は負の電圧）を印加すると、ソース-ドレイン間にソース極性が逆のp型チャネルが形成されます。電流はソースから誘導性pチャネルを介したホールによってドレインに伝達されます。ゲートに高い電圧がかかるとPMOSは導通せず、ゲートに低い電圧がかかるとPMOSは導通する。PMOSを使用して実装されたロジックゲートなどのデジタルデバイスは、PMOSロジックと呼ばれる。 PMOS技術は低コストでノイズに強いのが特徴である。

NMOとPMOの違いは何ですか？