NMOS与PMO
场效应晶体管（FET）是一种电压控制器件，其载流能力通过施加电场而改变。一种常用的场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。MOSFET广泛应用于集成电路和高速开关领域。MOSFET的工作原理是在氧化物绝缘栅电极上施加电压，在源极和漏极之间形成一个导电通道。根据流经沟道的载流子的类型，有两种主要类型的MOSFET称为nMOSFET（通常称为NMOS）和pMOSFET（俗称PMOS）。
什么是NMOS？
如前所述，NMOS（nMOSFET）是MOSFET的一种。NMOS晶体管由n型源漏和p型衬底组成。当向栅极施加电压时，主体（p型衬底）上的孔被驱走。这使得在源极和漏极之间形成一个n型沟道，电流由电子通过诱导的n型沟道从源端带到漏极。使用NMOS实现的逻辑门和其他数字设备被称为具有NMOS逻辑。NMOS有三种工作模式，称为截止、三极管和饱和。NMOS逻辑易于设计和**。但是带有NMOS逻辑门的电路在电路空闲时会消耗静态功率，因为当输出较低时，直流电流会流过逻辑门。
什么是PMO？
如前所述，PMOS（pMOSFET）是MOSFET的一种。PMOS晶体管由p型源漏和n型衬底组成。当在源极和栅极之间施加正电压（栅极和源极之间施加负电压）时，源极性相反的p型沟道在源极和漏极之间形成。电流由孔通过感应p型通道从源端传输到漏极。栅极上的高电压将导致PMOS不导通，而栅极上的低电压将导致PMOS导通。使用PMOS实现的逻辑门和其他数字设备被称为具有PMOS逻辑。PMOS技术成本低，抗噪声能力强。
NMO和PMO之间有什么区别？
