NMOS與PMO
場效應晶體管（FET）是一種電壓控制器件，其載流能力通過施加電場而改變。一種常用的場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MOSFET廣泛應用於集成電路和高速開關領域。MOSFET的工作原理是在氧化物絕緣柵電極上施加電壓，在源極和漏極之間形成一個導電通道。根據流經溝道的載流子的類型，有兩種主要類型的MOSFET稱為nMOSFET（通常稱為NMOS）和pMOSFET（俗稱PMOS）。
什麼是NMOS？
如前所述，NMOS（nMOSFET）是MOSFET的一種。NMOS晶體管由n型源漏和p型襯底組成。當向柵極施加電壓時，主體（p型襯底）上的孔被驅走。這使得在源極和漏極之間形成一個n型溝道，電流由電子通過誘導的n型溝道從源端帶到漏極。使用NMOS實現的邏輯門和其他數字設備被稱為具有NMOS邏輯。NMOS有三種工作模式，稱為截止、三極管和飽和。NMOS邏輯易於設計和**。但是帶有NMOS邏輯門的電路在電路空閒時會消耗靜態功率，因為當輸出較低時，直流電流會流過邏輯門。
什麼是PMO？
如前所述，PMOS（pMOSFET）是MOSFET的一種。PMOS晶體管由p型源漏和n型襯底組成。當在源極和柵極之間施加正電壓（柵極和源極之間施加負電壓）時，源極性相反的p型溝道在源極和漏極之間形成。電流由孔通過感應p型通道從源端傳輸到漏極。柵極上的高電壓將導致PMOS不導通，而柵極上的低電壓將導致PMOS導通。使用PMOS實現的邏輯門和其他數字設備被稱為具有PMOS邏輯。PMOS技術成本低，抗噪聲能力強。
NMO和PMO之間有什麼區別？
