BJT與FET
BJT（雙極結晶體管）和FET（場效應晶體管）都是兩種類型的晶體管。晶體管是一種電子半導體器件，它能在小輸入信號的微小變化下提供大幅度變化的電輸出信號。由於這種特性，該器件可以用作放大器或開關。晶體管於20世紀50年代問世，它對晶體管的發展做出了巨大的貢獻，被認為是20世紀最重要的發明之一。不同類型的晶體管結構已經過測試。
雙極結晶體管
BJT由兩個PN結（p型半導體和n型半導體連接而成的結）組成。這兩個結是通過按P-N-P或N-P-N的順序連接三個半導體片而形成的。
三個電極連接在這三個半導體部件上，中間的引線稱為“基極”。另外兩個連接點是“發射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集電極發射極（Ic）電流是由小的基極發射極電流（IB）控制的，利用這一特性設計放大器或開關。在那裡它可以被認為是一個電流驅動裝置。BJT主要用於放大電路。
場效應晶體管
場效應晶體管由三個端子組成，分別稱為“柵極”、“源極”和“漏極”。這裡漏極電流由柵極電壓控制。因此，fet是電壓控制器件。
根據用於源極和漏極的半導體類型（在FET中，兩者都由相同的半導體類型製成），FET可以是N溝道或P溝道器件。源極到漏極的電流是通過對柵極施加適當的電壓來調節溝道寬度來控制的。還有兩種控制通道寬度的方法，稱為耗盡和增強。因此，fet可分為四種不同類型，如N溝道或P溝道，具有耗盡或增強模式。
FET有很多種類型，如MOSFET（金屬氧化物半導體FET）、HEMT（高電子遷移率晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。CNTFET（Carbon Nanotube FET）是納米技術發展的產物，是FET家族的最新成員。
| BJT和FET1的區別。BJT基本上是電流驅動器件，而FET被認為是電壓控制器件。BJT的終端被稱為發射極、集電極和基極，而FET則由柵極、源極和漏極組成。在大多數新的應用中，fet比BJTs使用得多。BJT同時使用電子和空穴進行傳導，而FET只使用其中一個，因此被稱為單極晶體管。fet比bjt更節能。 |
