IGBT与晶闸管
晶闸管和绝缘栅双极晶体管（IGBT）是两种具有三个端子的半导体器件，它们都用来控制电流。这两种设备都有一个名为“门”的控制终端，但操作原理不同。
晶闸管
因此，PN-P由三层晶闸管组成。在分析中，这被认为是一对紧密耦合的晶体管（一个是PNP，另一个是NPN配置）。最外层的P型和N型半导体层分别称为阳极和阴极。连接到内部P型半导体层的电极称为“栅极”。
在操作中，当向栅极提供脉冲时，晶闸管起传导作用。它有三种工作模式，称为“反向闭锁模式”、“正向闭锁模式”和“正向传导模式”。一旦用脉冲触发栅极，晶闸管将进入“正向导通模式”，并保持导通，直到正向电流小于阈值“保持电流”。
晶闸管是一种功率器件，大多数情况下，它们被用于高电流和高电压的应用中。晶闸管最常用的应用是控制交流电流。
绝缘栅双极晶体管
IGBT是一种半导体器件，有三个终端，分别被称为“发射极”、“集电极”和“栅极”。它是一种晶体管，可以处理更大的功率，具有更高的开关速度，使其效率更高。IGBT于20世纪80年代被引入市场。
IGBT兼有MOSFET和双极结晶体管（BJT）的优点。它像MOSFET一样由栅极驱动，并且具有类似BJTs的电流-电压特性。因此，它具有高电流处理能力和易于控制的优点。IGBT模块（由许多设备组成）处理千瓦的功率。
| 在简介：区别IGBT和晶闸管1。IGBT的三个终端分别是发射极、集电极和栅极，而晶闸管有阳极、阴极和栅极。晶闸管的栅极只需要一个脉冲就可以转变为导通模式，而IGBT则需要一个连续的栅极电压供应。IGBT是一种晶体管，分析中将晶闸管看作是一对紧密耦合的晶体管。IGBT只有一个PN结，晶闸管有三个PN结。这两种设备都用于高功率应用。 |
