IGBT與晶閘管
晶閘管和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是兩種具有三個端子的半導體器件，它們都用來控制電流。這兩種設備都有一個名為“門”的控制終端，但操作原理不同。
晶閘管
因此，PN-P由三層晶閘管組成。在分析中，這被認為是一對緊密耦合的晶體管（一個是PNP，另一個是NPN配置）。最外層的P型和N型半導體層分別稱為陽極和陰極。連接到內部P型半導體層的電極稱為“柵極”。
在操作中，當向柵極提供脈衝時，晶閘管起傳導作用。它有三種工作模式，稱為“反向閉鎖模式”、“正向閉鎖模式”和“正向傳導模式”。一旦用脈衝觸發柵極，晶閘管將進入“正向導通模式”，並保持導通，直到正向電流小於閾值“保持電流”。
晶閘管是一種功率器件，大多數情況下，它們被用於高電流和高電壓的應用中。晶閘管最常用的應用是控制交流電流。
絕緣柵雙極晶體管
IGBT是一種半導體器件，有三個終端，分別被稱為“發射極”、“集電極”和“柵極”。它是一種晶體管，可以處理更大的功率，具有更高的開關速度，使其效率更高。IGBT於20世紀80年代被引入市場。
IGBT兼有MOSFET和雙極結晶體管（BJT）的優點。它像MOSFET一樣由柵極驅動，並且具有類似BJTs的電流-電壓特性。因此，它具有高電流處理能力和易於控制的優點。IGBT模塊（由許多設備組成）處理千瓦的功率。
| 在簡介：區別IGBT和晶閘管1。IGBT的三個終端分別是發射極、集電極和柵極，而晶閘管有陽極、陰極和柵極。晶閘管的柵極只需要一個脈衝就可以轉變為導通模式，而IGBT則需要一個連續的柵極電壓供應。IGBT是一種晶體管，分析中將晶閘管看作是一對緊密耦合的晶體管。IGBT只有一個PN結，晶閘管有三個PN結。這兩種設備都用於高功率應用。 |
