高自旋和低自旋复合物的关键区别在于高自旋复合物含有不成对电子，而低自旋复合物则倾向于包含成对电子。
高自旋和低自旋项与配合物有关。这些称为配合物的自旋态。我们可以用晶体场理论和配体场理论来确定这些状态。通常，八面体配合物和四面体配合物是高自旋的，而方形平面配合物则是低自旋的。
目录
1. 概述和主要区别
2. 什么是高自旋复合物
3. 什么是低自旋复合物
4. 并列比较-高自旋和低自旋复合物的表格形式
5. 摘要
什么是高自旋配合物(high spin complexes)？
高自旋配合物是在高能水平上含有不成对电子的配位配合物。因为它们含有不成对的电子，所以这些高自旋复合物是顺磁性的。这意味着这些配合物可以被外部磁场吸引。
图01：高自旋配合物的能量分裂图
当对两个电子所需的能量大于将电子置于高能状态所需的能量时，化合物的自旋能发生高分裂。通常，八面体和四面体配位配合物是高自旋配合物。
什么是低自旋配合物(low spin complexes)？
低自旋配合物是在低能级含有成对电子的配位络合物。由于低自旋复合物中没有未配对的电子（所有电子都是成对的），它们是反磁性的。这意味着这些化合物不能被外部磁场吸引。当两个电子配对所需的能量低于使一个电子处于低能状态所需的能量时，化合物就会发生低能分裂。通常，方形平面配位配合物是低自旋配合物。
图02：低自旋配合物的能量分裂图
为了确定给定的配位络合物是高自旋络合物还是低自旋络合物，我们可以使用以下技巧。
- 复合物形状的确定
- 金属中心氧化状态的测定
- 金属d电子组态的测定
- 配合物晶体场图的几何确定
- 确定分裂能是否大于配对能
高自旋(high spin)和低自旋配合物(low spin complexes)的区别
高自旋和低自旋复合物的关键区别在于高自旋复合物含有不成对电子，而低自旋复合物则倾向于包含成对电子。在高自旋络合物中，使两个电子配对所需的能量大于将该络合物中的一个电子置于高能水平所需的能量。相比之下，在低自旋配合物中，两个电子配对所需的能量低于将一个电子置于高能级所需的能量。
此外，高自旋和低自旋复合物的另一个显著区别是高自旋复合物是顺磁性的，因为它们有未成对的电子，而低自旋的复合物是反磁性的，因为它们都有电子配对。一般来说，四面体和八面体化合物是高自旋，而方形平面化合物是低自旋。
总结 - 高自旋(high spin) vs. 低自旋配合物(low spin complexes)
配位络合物有两种自旋态。它们是高自旋态和低自旋态。高自旋和低自旋复合物的关键区别在于高自旋复合物含有不成对电子，而低自旋复合物则倾向于包含成对电子。
引用
1“高自旋和低自旋复合物”，《化学LibreTexts》，LibreTexts，2019年11月21日，可在这里查阅。“自旋态（d电子）。”维基百科，维基媒体基金会，2019年11月18日，可在这里查阅。“高自旋和低自旋复合物。”化学大师，这里有。
2“自旋态（d电子）。”维基百科，维基媒体基金会，2019年11月18日，
三。“高自旋和低自旋复合物。”化学大师，
