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混合硅激光器是由英特尔和加利福尼亚大学圣塔巴巴拉(UCSB)2006研制的新型激光器。该激光器由III-V族半导体材料制成(例如。大规模生产的计算机芯片中使用的同一类型的砷化镓(III)、磷化铟(III)以及硅。混合硅激光器不同于我们目前在计算机和CD播放机中使用的基于磷化铟的激光二极管,磷化铟必须为每个单元单独组装和校准,不能像计算机芯片那样批量生产。。...