混合硅激光器是由英特尔和加利福尼亚大学圣塔巴巴拉(UCSB)2006研制的新型激光器。该激光器由III-V族半导体材料制成(例如。大规模生产的计算机芯片中使用的同一类型的砷化镓(III)、磷化铟(III)以及硅。混合硅激光器不同于我们目前在计算机和CD播放机中使用的基于磷化铟的激光二极管,磷化铟必须为每个单元单独组装和校准,不能像计算机芯片那样批量生产。。
必须使用单独的III-V半导体晶片来制造电流激光二极管。混合硅激光器主要由硅制成,并在硅片上制造,由于光刻技术和计算革命,我们在大规模制造方面拥有丰富的经验。混合硅激光器将大大降低制造激光器的成本。
尽管混合硅激光器也将使用磷化铟来产生光,但它不像普通激光二极管那样使用化学物质来路由、检测、调制和放大光,而是使用硅。混合硅激光器是光学系统与传统计算机芯片集成的一大步,它可以使处理速度和数据传输速率比我们今天的最佳速度快数百倍。这些传输速率将达到TB级,而不是我们今天看到的千兆或兆比特级。。
混合硅激光器是一个名为光子计算的研究项目的一部分,该项目希望看到计算机芯片使用与电脉冲相切的光来处理数据。光每单位数据所需的能量更少。混合硅激光器可以大规模生产,一个模具可以生产数百个或更多。制造一台主要基于光子学的计算机需要大量的片上激光器。实现真正的光子学的另一个必要步骤是在晶体中实现光阻的技术,类似于当前计算机逻辑中的电子存储。初步研究表明,在这方面取得了有希望的结果。。
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