晶體管與晶閘管
晶體管和晶閘管都是具有交替P型和N型半導體層的半導體器件。由於效率高、成本低、體積小等原因，它們在許多交換應用中得到了廣泛的應用。它們都是三端器件，用較小的控制電流提供了良好的電流控制範圍。這兩種設備都有依賴於應用的優點。
晶體管
晶體管由三層交替的半導體層（P-N-P或N-P-N）組成。這形成了兩個PN結（由P型半導體和N型半導體連接而成的結），因此，觀察到了一種獨特的行為類型。三個電極連接在三個半導體層上，中間的終端稱為“基極”。另外兩層被稱為“發射器”和“收集器”。
在晶體管中，大的集電極到發射極（Ic）電流是由小的基極發射極電流（IB）控制的，這種特性被用來設計放大器或開關。在開關應用中，當提供基極電流時，三層半導體充當導體。
晶閘管
晶閘管由四個交替的半導體層（以P-N-P-N的形式）構成，因此由三個PN結組成。在分析中，這被認為是一對緊密耦合的晶體管（一個是PNP，另一個是NPN配置）。最外層的P型和N型半導體層分別稱為陽極和陰極。連接到內部P型半導體層的電極稱為“柵極”。
在操作中，當向柵極提供脈衝時，晶閘管起傳導作用。它有三種工作模式，稱為“反向閉鎖模式”、“正向閉鎖模式”和“正向傳導模式”。一旦用脈衝觸發柵極，晶閘管將進入“正向導通模式”，並保持導通，直到正向電流小於閾值“保持電流”。
晶閘管是一種功率器件，大多數情況下，它們被用於高電流和高電壓的應用中。晶閘管最常用的應用是控制交流電流。
| 晶體管和晶閘管的區別1。晶體管只有三層半導體，而晶閘管只有四層。晶體管的三個端子被稱為發射極、集電極和基極，晶閘管的三個端子被稱為陽極、陰極和柵極3。分析中將晶閘管視為緊密耦合的晶體管對。晶閘管可以在比晶體管更高的電壓和電流下工作。晶閘管的功率處理更好，因為它們的額定值以千瓦為單位，而晶體管的功率範圍以瓦為單位。晶閘管只需要一個脈衝就可以將模式轉換為導通，而晶體管需要連續的控制電流供應。晶體管的內部功率損耗高於晶閘管。 |
