IGBT與MOSFET
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是兩種類型的晶體管，它們都屬於柵極驅動類型。兩種器件都具有相似的結構，具有不同類型的半導體層。
金屬氧化物半導體場效應晶體管
MOSFET是場效應晶體管（FET）的一種，它由三個端子組成，分別被稱為“柵極”、“源極”和“漏極”。這裡，漏極電流由柵極電壓控制。因此，mosfet是電壓控制器件。
mosfet有四種不同的類型，如n溝道或p溝道，有耗盡模式或增強模式。n溝道mosfet和p溝道器件的漏源和源均由n型半導體制成。柵極是由金屬製成的，用金屬氧化物和源極和漏極分開。這種絕緣使功耗低，這是MOSFET的一個優點。因此，MOSFET被用於數字CMOS邏輯中，其中p溝道和n溝道MOSFET被用作積木來最小化功耗。
儘管MOSFET的概念很早就被提出（1925年），但它實際上是在1959年在貝爾實驗室實現的。
絕緣柵雙極晶體管
IGBT是一種半導體器件，有三個終端，分別被稱為“發射極”、“集電極”和“柵極”。它是一種晶體管，可以處理更大的功率，並且具有更高的開關速度，使其效率更高。IGBT於20世紀80年代被引入市場。
IGBT兼有MOSFET和雙極結晶體管（BJT）的優點。它像MOSFET一樣是柵極驅動的，並且具有類似BJTs的電流-電壓特性。因此，它既具有高電流處理能力，又易於控制的優點。IGBT模塊（由許多設備組成）可以處理千瓦的功率。
| IGBT和MOSFET1的區別。雖然IGBT和MOSFET都是壓控器件，但IGBT具有類似BJT的導電特性。IGBT的終端被稱為發射極、集電極和柵極，而MOSFET則由柵極、源極和漏極組成。IGBT在功率處理方面比MOSFET4更好。IGBT有PN結，而mosfet沒有PN結。與MOSFET6相比，IGBT具有更低的正向壓降。與IGBT相比，MOSFET有著悠久的歷史 |
