IGBT与MOSFET
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）是两种类型的晶体管，它们都属于栅极驱动类型。两种器件都具有相似的结构，具有不同类型的半导体层。
金属氧化物半导体场效应晶体管
MOSFET是场效应晶体管（FET）的一种，它由三个端子组成，分别被称为“栅极”、“源极”和“漏极”。这里，漏极电流由栅极电压控制。因此，mosfet是电压控制器件。
mosfet有四种不同的类型，如n沟道或p沟道，有耗尽模式或增强模式。n沟道mosfet和p沟道器件的漏源和源均由n型半导体制成。栅极是由金属制成的，用金属氧化物和源极和漏极分开。这种绝缘使功耗低，这是MOSFET的一个优点。因此，MOSFET被用于数字CMOS逻辑中，其中p沟道和n沟道MOSFET被用作积木来最小化功耗。
尽管MOSFET的概念很早就被提出（1925年），但它实际上是在1959年在贝尔实验室实现的。
绝缘栅双极晶体管
IGBT是一种半导体器件，有三个终端，分别被称为“发射极”、“集电极”和“栅极”。它是一种晶体管，可以处理更大的功率，并且具有更高的开关速度，使其效率更高。IGBT于20世纪80年代被引入市场。
IGBT兼有MOSFET和双极结晶体管（BJT）的优点。它像MOSFET一样是栅极驱动的，并且具有类似BJTs的电流-电压特性。因此，它既具有高电流处理能力，又易于控制的优点。IGBT模块（由许多设备组成）可以处理千瓦的功率。
| IGBT和MOSFET1的区别。虽然IGBT和MOSFET都是压控器件，但IGBT具有类似BJT的导电特性。IGBT的终端被称为发射极、集电极和栅极，而MOSFET则由栅极、源极和漏极组成。IGBT在功率处理方面比MOSFET4更好。IGBT有PN结，而mosfet没有PN结。与MOSFET6相比，IGBT具有更低的正向压降。与IGBT相比，MOSFET有着悠久的历史 |
