BJT與SCR
BJT（雙極結晶體管）和SCR（可控硅）都是具有P型和N型半導體層交替的半導體器件。由於效率高、成本低、體積小等原因，它們在許多交換應用中得到了廣泛的應用。它們都是三端器件，用較小的控制電流提供了良好的電流控制範圍。這兩種設備都有依賴於應用的優點。
雙極結晶體管
BJT是一種晶體管，它由兩個PN結（p型半導體和n型半導體連接而成的結）組成。這兩個結是由三個半導體片按P-N-P或N-P-N的順序連接而成的。
三個電極連接在這三個半導體部件上，中間的引線稱為“基極”。另外兩個連接點是“發射器”和“收集器”。
在BJT中，大的集電極發射極（Ic）電流是由小的基極發射極電流（IB）控制的，利用這一特性設計放大器或開關。在那裡它可以被認為是一個電流驅動裝置。BJT主要用於放大電路。
可控硅（SCR）
晶閘管是晶閘管的一種，廣泛應用於電流整流中。SCR由四層交替的半導體層（P-N-P-N的形式）組成，因此由三個PN結組成。在分析中，這被認為是一對緊密耦合的bjt（一個是PNP，另一個是NPN配置）。最外層的P型和N型半導體層分別稱為陽極和陰極。連接到內部P型半導體層的電極稱為“柵極”。
在操作中，當向柵極提供脈衝時，可控硅起傳導作用。它在“開”或“關”狀態下工作。一旦用脈衝觸發柵極，晶閘管將進入“開啟”狀態，並保持導通，直到正向電流小於稱為“保持電流”的閾值。
晶閘管是一種功率器件，在大多數情況下，它被用於高電流和高電壓的應用中。最常用的可控硅應用是控制（整流）交流電流。
| 在簡介：區別BJT和SCR1。BJT只有三層半導體，而SCR只有四層。BJT的三個端子被稱為發射極、集電極和基極，而SCR的端子被稱為陽極、陰極和gate3。在分析中，晶閘管被認為是一對緊密耦合的晶體管。 |
