什么是晶体管漏极？(a transistor drain?)

晶体管漏极是场效应晶体管（通常称为FET）的一部分，相当于标准半导体晶体管上的发射极。场效应晶体管有四个基本元件和相应的端子，分别称为栅极、源极、主体和漏极。当FET的栅极和主体上存在控制电压时，在源极处等待的任何电信号将从源极传输到晶体管漏极，并从漏极端子输出。因此，晶体管漏极既可以指场效应晶体管的输出元件，也可以指将该元件连接到其他电路的端子。。...

虽然场效应晶体管执行的功能与标准结型晶体管类似，但它们执行这些功能的方式却大不相同。一个普通的晶体管是由三块带交流静电荷的材料制成的，要么是正负电荷，称为PNP，要么是正负电荷，称为NPN。这些被称为集电极、发射极和基极的部件被熔合在一起，这基本上形成了一个具有两个阳极或两个阴极的二极管。

如果有电信号在晶体管的集电极处等待，而基极处没有电压，则晶体管被称为关闭且不传导电信号。如果电压进入晶体管的基极，就会改变基极的电荷。电荷的这种变化使晶体管接通，集电极信号通过晶体管传导，并从其发射极引出，供其他电子电路使用。

场效应晶体管的工作原理完全不同。场效应晶体管由四块材料组成，每一块材料都有一个端子，称为源极、栅极、漏极和体。在这四种类型中，只有源极、漏极和主体携带静电。要么源极和漏极中的电荷为负，称为n沟道FET，要么两者中的电荷均为正，称为p沟道FET。在这两种情况下，FET的主体将携带与源极和漏极相反的电荷。

这四个部件随后按照与标准晶体管不同的顺序组装。源极和漏极将熔合到阀体的任一端。然后，栅极与源极和漏极熔合，桥接它们，但不与晶体管体直接接触。取而代之的是，闸门设置为与主体平行并与主体保持特定距离。

如果FET是n沟道型器件，则源极和漏极之间连接的无电压或负电压会将FET切换到关闭状态，并且不会在源极和漏极之间传导信号。在FET主体充电的情况下，在FET的栅极处施加正电压将使其切换到on状态。栅极的电荷将开始从场效应晶体管的主体中吸引电子，基本上形成一个称为导电沟道的场。

如果栅极处的电压足够强，一个称为其阈值电压的点，则可完全形成导电通道。一旦导电沟道完全形成，FET源处的电压将能够通过导电沟道将其信号传导到晶体管漏极，并从晶体管漏极引出。如果栅极处的电压降低到其阈值以下，则穿过栅极和FET主体的场将立即崩溃，带走导电通道，并使FET返回关闭状态。。

场效应晶体管对其栅极阈值电压非常敏感。使用仅略高于要求的栅极电压，然后稍微降低，将非常快地打开和关闭FET。因此，与标准晶体管相比，在非常高的频率下仅稍微改变栅极电压可以以更快的速度和更小的电压关闭和打开FET。FET的开关速度使其成为高速数字电路的理想晶体管。它们广泛应用于数字集成电路和微处理器等设备，是现代计算机CPU使用的首选晶体管。。

发表于 2021-12-30 15:45
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