什么是化学气相沉积？(chemical vapor deposition?)

化学气相沉积（CVD）是一种化学工艺，使用反应性气体室来合成高纯度、高性能的固体材料，如电子元件。集成电路的某些组件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅等材料制成的电子元件。化学气相沉积工艺的一个例子是用硅烷（SiH4）合成多晶硅，使用这种反应。...

Certain components of integrated circuits require electronics made from the materials polysilicon, silicon dioxide, and silicon nitride.

化学气相沉积（CVD）是一种化学工艺，使用反应性气体室来合成高纯度、高性能的固体材料，如电子元件。集成电路的某些组件需要由多晶硅、二氧化硅和氮化硅等材料制成的电子元件。化学气相沉积工艺的一个例子是用硅烷（SiH4）合成多晶硅，使用这种反应。

SiH4 -> Si + 2H2

在硅烷反应中，介质要么是纯硅烷气体，要么是含有70-80%氮气的硅烷。使用温度在600-650℃（1100-1200℉）之间，压力在25-150帕之间--不到一个大气压的千分之一--纯硅可以以每分钟10-20纳米的速度沉积，非常适合许多电路板元件，其厚度以微米为单位。一般来说，化学气相沉积机内温度高，而压力非常低。最低压力，低于10-6帕，被称为超高真空。这与其他领域使用 "超高真空 "一词不同，通常指10-7帕以下。

化学气相沉积的一些产品包括硅、碳纤维、碳纳米纤维、细丝、碳纳米管、二氧化硅、硅锗、钨、碳化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮化钛和金刚石。使用化学气相沉积法大规模生产材料会变得非常昂贵，因为这一过程需要动力，这也是半导体工厂成本极高（数亿美元）的部分原因。化学气相沉积反应经常会留下副产品，必须通过连续的气体流动来清除。

化学气相沉积工艺有几个主要的分类方案，包括按压力（大气压、低压或超高真空）、蒸汽的特性（气溶胶或直接注入液体）或等离子体处理类型（微波等离子体辅助沉积、等离子体增强沉积、远程等离子体增强沉积）分类。

发表于 2022-02-09 12:06
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分类：科学

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